[发明专利]半导体制造装置及半导体装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 201410444281.X 申请日: 2014-09-03
公开(公告)号: CN104916594A 公开(公告)日: 2015-09-16
发明(设计)人: 田中润 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L23/12 分类号: H01L23/12;H01L21/58
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 张世俊
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 制造 装置 方法
【说明书】:

[相关申请案]

本申请案享有以日本专利申请案2014-52714号(申请日:2014年3月14日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。

技术领域

实施方式的发明涉及一种半导体制造装置及半导体装置的制造方法。

背景技术

半导体封装的制造工序中,将被处理体贴附在周缘通过晶片环而固定的延伸片上进行切割,且维持将已被分离为半导体零件的被处理体贴附在延伸片上的状态而进行该半导体零件的拾取。所述切割或拾取是拉伸延伸片而进行,因此对延伸片施加负载。尤其,拾取是针对通过半导体零件的动作测试等品质评估而设定的每一等级来进行复数次,因此通过拉伸而对延伸片施加的负载较大。因此,在每次的拾取中,即便在以同等的拉伸力拉伸延伸片的情形时,亦存在每次进行拾取时延伸片自身伸长而产生挠曲的情形。

又,在进行拾取时,进行半导体零件的图像辨识。此时,若延伸片挠曲,则半导体零件的图像辨识易于产生不良。另一方面,若对延伸片的拉伸力过强,则延伸片断裂而易于产生半导体零件的剥离等。由此,需要将延伸片的拉伸力控制为适当值。

发明内容

实施方式的发明所欲解决的课题在于抑制延伸片的挠曲或断裂。

实施方式的半导体制造装置包括:延伸环;以及调整部,其求出延伸片的张力,并根据所求出的张力而设定晶片环与延伸环的高低差,由此调整延伸片的拉伸力。晶片环包含中空部,且在中空部使已贴附在延伸片上的被处理体露出并且固定延伸片。延伸环是以与所述晶片环之间可相对地上下的方式设置在比所述晶片环的内缘更内侧處。

附图说明

图1是用以说明半导体制造装置的构成例的图。

图2是用以说明半导体制造装置的构成例的图。

图3是用以说明半导体装置的制造方法例的流程图。

图4是用以说明调整部的一例的图。

图5是用以说明半导体装置的制造方法例的图。

图6是用以说明调整部的另一例的图。

图7是用以说明半导体装置的制造方法例的图。

具体实施方式

以下,参照图式对实施方式进行说明。再者,图式是示意性的图,例如存在厚度与平面尺寸的关系、各层的厚度的比率等与实际情况不同的情形。又,实施方式中,对实质上相同的构成要素附上相同符号并省略说明。

图1及图2是用以说明半导体制造装置的构成例的图。图1所示的半导体制造装置1包括:晶片环11;延伸环12,其用以拉伸贴附有被处理体15的延伸片14;及调整部13。进而,图2表示晶片环11及延伸环12的俯视布局例。

晶片环11具有固定延伸片14的周缘的功能。晶片环11具有中空部。以在晶片环11的中空部露出的方式在延伸片14的上表面贴附被处理体15。此时,延伸片14上的被处理体15的贴附面较佳为具有粘着性。

延伸环12以重叠在晶片环11的中空部的方式设置。延伸环12例如如图2所示般为环状。延伸环12的形状并不限定于此,例如亦可为圆形或四边形状。在图1所示的半导体制造装置1中,例如晶片环11或延伸环12上下移动,通过设置晶片环11与延伸环12的高低差而以放射状拉紧延伸片14,从而拉伸延伸片14。延伸片14的张力是通过晶片环11与延伸环12的高低差而设定。

调整部13具有求出延伸片14的张力,并根据所求出的张力而调整延伸片14的拉伸力的功能。例如,通过调整部13而设定晶片环11与延伸环12的高低差,由此调整延伸片14的拉伸力。调整部13包括例如:测定器,其测定用以求出延伸片14的张力的参数;及控制电路,其根据延伸片14的张力而控制晶片环11与延伸环12的高低差。

其次,对使用所述半导体制造装置1的半导体装置的制造方法例进行说明。图3是用以说明半导体装置的制造方法例的流程图。图3所示的半导体装置的制造方法例包括:工序S1(片固定),将延伸片14固定在晶片环11;工序S2(被处理体贴附),将被处理体15贴附在延伸片14上;工序S3(被处理体分离),通过分离被处理体15而形成半导体零件;工序S4(片拉伸),拉伸延伸片14;工序S5(拉伸力调整),调整延伸片14的拉伸力;工序S6(图像辨识),进行半导体零件的图像辨识;及工序S7(拾取),进行半导体零件的拾取。该等工序的动作可通过例如设置在半导体制造装置的控制电路而控制。再者,本实施方式的半导体装置的制造方法例的工序内容及工序顺序未必限定于所述工序。

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