[发明专利]存储装置有效
申请号: | 201410444500.4 | 申请日: | 2014-09-03 |
公开(公告)号: | CN104425009B | 公开(公告)日: | 2017-12-12 |
发明(设计)人: | J·贾瓦尼法德 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | G11C11/56 | 分类号: | G11C11/56 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 郑宗玉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储 装置 | ||
1.一种存储装置,包括:
多个可同时编程的组,每个组包括多个存储片,每个存储片被划分为多个子片;和
用于所述多个存储片的多级列选择电路和多级行选择电路,
其中所述多级列选择电路包括用于每个存储片的列译码器和用于每个存储片的公共源线驱动器,
其中所述多个存储片包括2x2阵列的存储片,所述2x2阵列的存储片包括顶部的一对存储片和底部的一对存储片,
其中所述列译码器被分成布置在每个存储片的相对侧的偶数列译码器和奇数列译码器,
其中所述公共源线驱动器被分成与列译码器相邻地布置在每个存储片的相对侧的偶数驱动器和奇数驱动器,
其中所述多级行选择电路包括在顶部的一对存储片之间的第一行选择电路,以选择顶部的一对存储片中的行,以及
其中所述多级行选择电路包括在底部的一对存储片之间的第二行选择电路,以选择底部的一对存储片中的行。
2.如权利要求1所述的存储装置,其中每个存储片被划分为四个子片。
3.如权利要求2所述的存储装置,其中所述多级列选择电路是包括第一列选择电路和第二列选择电路的两级列选择电路。
4.如权利要求3所述的存储装置,其中所述第一列选择电路是全局列选择电路,从所述多个存储片选择存储片。
5.如权利要求4所述的存储装置,其中所述第二列选择电路是局部列选择电路,选择片中的一个或多个位线。
6.如权利要求5所述的存储装置,其中所述多级行选择电路是包括第一行选择电路、第二行选择电路和第三行选择电路的三级行选择电路。
7.如权利要求6所述的存储装置,其中所述第一行选择电路针对存储片中的全部的行从每十六行选择一行。
8.如权利要求7所述的存储装置,其中所述第二行选择电路针对从每十六行选择的行从每八行选择一行。
9.如权利要求8所述的存储装置,其中所述第三行选择电路从存储片的每八行选择一行。
10.如权利要求1所述的存储装置,其中每两个片共享共同的行选择电路。
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