[发明专利]具有公共源极线屏蔽电路的存储器设备有效
申请号: | 201410444511.2 | 申请日: | 2014-09-03 |
公开(公告)号: | CN104425023B | 公开(公告)日: | 2018-02-23 |
发明(设计)人: | 北川真;J·贾瓦尼法德 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | G11C16/06 | 分类号: | G11C16/06 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 李晓芳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 公共 源极线 屏蔽 电路 存储器 设备 | ||
1.一种存储器设备,包括:
多个存储器瓦块,每个瓦块包括作为局部公共源极线板的CSL板、多个位线和多个字线,每个耦接到多个存储器单元;以及
屏蔽电路,耦接到每个存储器瓦块,用于基于全局公共源极线控制是否升高局部CSL板和所述多个位线,
所述屏蔽电路包括:
Vss输入,接收表示全局公共源极线是否被耦接到Vss电压的信号;
VSET输入,接收表示全局公共源极线是否被耦接到作为置位操作电压的VSET电压的信号;以及
故障输入,由故障电路生成,所述故障电路接收与输出故障位的多个数据锁存器对应的信号,每个数据锁存器耦接到所述多个位线中的对应位线,
其中Vss输入、VSET输入和故障输入被耦接到屏蔽电路的逻辑部分,所述逻辑部分具有耦接到用于每个存储器瓦块的CSL驱动器的控制输出,控制是将CSL升高到VSET还是将CSL保持在Vss。
2.如权利要求1所述的存储器设备,所述屏蔽电路还包括:
Vss部分,其包括:
具有反相的第一输出的第一AND门,其中到第一AND门的输入包括所述Vss输入和所述故障输入;以及
具有耦接到第一AND门的输出的反相的输入的第一反相器,第一反相器具有将局部CSL板和所述多个位线驱动到Vss的Vss输出;以及
VSET部分,其包括:
第二反相器,具有所述故障输入作为输入;
第二AND门,具有第一反相的输入和第二反相的输入,其中第二反相器的输出被耦接到第一反相的输入并且VSET输入被耦接到第二反相的输入;以及
第三反相器,具有耦接到第二AND门的输出的输入,第三反相器具有将局部CSL板和所述多个位线驱动到VSET的VSET输出。
3.如权利要求2所述的存储器设备,还包括:
多个位线驱动器,与每个存储器瓦块中的所述多个位线对应;和
CSL驱动器,耦接到用于每个存储器瓦块的CSL板。
4.如权利要求3所述的存储器设备,每个CSL驱动器包括:
第一晶体管,具有耦接到VSET输出的栅极和耦接到VSET电压的源极;以及
第二晶体管,具有耦接到Vss输出的栅极和耦接到Vss电压的源极,
其中第一晶体管和第二晶体管被在每个晶体管的漏极处耦接。
5.如权利要求4所述的存储器设备,其中CSL驱动器的输出被从每个晶体管的漏极耦接到局部CSL板。
6.如权利要求4所述的存储器设备,其中第一晶体管是P型晶体管。
7.如权利要求3所述的存储器设备,所述多个位线驱动器中的每一个包括:
第四反相器,具有耦接到VSET输出的输入;
具有反相的输出的第三AND门,具有置位脉冲使能信号和作为到第三AND门的输入的故障位;
OR门,具有耦接到第四反相器的输出和第三AND门的输出的反相的输入;
第一晶体管,具有耦接到OR门的输出的栅极和耦接到VSET电压的源极;以及
第二晶体管,具有耦接到OR门的输出的栅极和耦接到Vss电压的源极,其中第一晶体管和第二晶体管被在漏极处耦接。
8.如权利要求7所述的存储器设备,其中第一晶体管是P型晶体管。
9.如权利要求7所述的存储器设备,其中CSL驱动器的输出被从晶体管的漏极耦接到局部CSL板。
10.如权利要求3所述的存储器设备,所述故障电路包括:
读取多个故障位的多个OR门,每个故障位从锁存器的每一个输出,其中当耦接到所述多个OR门中的一个OR门的故障位中的一个为高时,该一个OR门生成高输出,否则该一个OR门生成低输出。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼半导体解决方案公司,未经索尼半导体解决方案公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410444511.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:能够对多个存储器进行独立控制的测试装置
- 下一篇:存储装置