[发明专利]硅太阳能电池的背面电极制作方法

权利要求书

1.一种硅太阳能电池的背面电极制作方法，其特征在于采用局部腐蚀和点接触方式制作背面电极，具体制作过程为：

①以矩形阵列形式在硅基体的背表面钝化处理后形成的钝化层（1）上腐蚀出数量众多的腐蚀区域（2），腐蚀区域（2）的深度为钝化层（1）的厚度；

②向所有腐蚀区域（2）中填入导电材料（3）；

③采用银线（4）连接所有相邻的两个腐蚀区域（2）内的导电材料（3），形成银线网；

④在钝化层（1）的下表面的两侧区域上分别制作两个点状电极，并连接点状电极与银线网，构成背面电极。

2.根据权利要求1所述的一种硅太阳能电池的背面电极制作方法，其特征在于所述的腐蚀区域（2）采用的腐蚀方式为化学腐蚀或物理腐蚀。

3.根据权利要求2所述的一种硅太阳能电池的背面电极制作方法，其特征在于所述的化学腐蚀为采用浓硝酸与氢氟酸进行腐蚀，所述的物理腐蚀为采用激光进行刻蚀。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的一种硅太阳能电池的背面电极制作方法，其特征在于所有所述的腐蚀区域（2）的大小和形状均相同。

5.根据权利要求4所述的一种硅太阳能电池的背面电极制作方法，其特征在于所述的腐蚀区域（2）的横截面的面积为1平方毫米～10平方毫米，任意相邻的两个所述的腐蚀区域（2）之间的间距相等，间距为1毫米～5毫米。

6.根据权利要求5所述的一种硅太阳能电池的背面电极制作方法，其特征在于所述的腐蚀区域（2）的横截面的形状为圆形或者方形或者任意的不规则形状；所述的腐蚀区域（2）的横截面的形状为圆形时，所述的腐蚀区域（2）的直径为1毫米～3毫米。

7.根据权利要求6所述的一种硅太阳能电池的背面电极制作方法，其特征在于所述的导电材料（3）为铝、银、氧化砷、氧化锌、氧化铟和其它导电材料（3）中的一种或几种，所述的导电材料（3）的填入方式采用注射或印刷方式。

8.根据权利要求7所述的一种硅太阳能电池的背面电极制作方法，其特征在于所述的银线网的一侧的边缘连线的四分之一位置处和四分之三位置处通过第一连接用银线（51）和第二连接用银线（52）分别连接有第一点状电极（61）和第二点状电极（62），所述的银线网的相对的另一侧的边缘连线的四分之一位置处和四分之三位置处通过第三连接用银线（53）和第四连接用银线（54）分别连接有第三点状电极（63）和第四点状电极（64），四个所述的点状电极与所述的银线网相连接构成背面电极。

9.根据权利要求8所述的一种硅太阳能电池的背面电极制作方法，其特征在于所述的银线（4）、各连接用银线和各点状电极均采用印刷或溅射或喷涂银浆方式进行制备，所述的银线（4）的宽度为50微米～80微米，所述的连接用银线（4）的长度为3毫米～5毫米，所述的点状电极的形状为正方形，边长为3毫米～5毫米。