[发明专利]光致抗蚀组合物、涂覆的基材和形成电子器件的方法在审
申请号: | 201410445524.1 | 申请日: | 2014-07-16 |
公开(公告)号: | CN104330956A | 公开(公告)日: | 2015-02-04 |
发明(设计)人: | M·S·奥伯;V·简恩;J·B·艾坦内 | 申请(专利权)人: | 罗门哈斯电子材料有限公司;陶氏环球技术有限公司 |
主分类号: | G03F7/004 | 分类号: | G03F7/004;G03F7/039;G03F7/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陈哲锋 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光致抗蚀 组合 基材 形成 电子器件 方法 | ||
1.一种光致抗蚀剂组合物,所述光致抗蚀剂组合物包括:
包括多个具有以下结构的重复单元的聚合物
其中,R1和R2的每次出现独立地是氢、未取代或取代的C1-18直链或支链烷基、未取代或取代的C3-18环烷基、未取代或取代的C6-18芳基、或未取代或取代的C3-18杂芳基;并且,R1和R2任选地以共价键彼此键合以形成包括-R1-C-R2-的环;Ar1、Ar2和Ar3的每次出现独立地是未取代或取代的C6-18亚芳基,或者未取代或取代的C3-18杂亚芳基;和,
选自光生酸剂、光生碱剂、光引发剂及其组合的光活性组分。
2.根据权利要求1所述的光致抗蚀组合物,其中,R1、R2、Ar1、Ar2或Ar3的至少一次出现被至少一个选自羟基、缩醛、缩酮、酯和内酯的官能团所取代。
3.根据权利要求1所述的光致抗蚀组合物,其中,R1、R2、Ar1、Ar2或Ar3的至少一次出现被至少一个羟基所取代。
4.根据权利要求1所述的光致抗蚀组合物,其中,R1、R2、Ar1、Ar2或Ar3的至少一次出现被至少一个叔酯所取代。
5.根据权利要求1-4任一项所述的光致抗蚀组合物,其中Ar1、Ar2和Ar3的每次出现独立地是1,3-亚苯基或1,4-亚苯基。
6.根据权利要求1-5任一项所述的光致抗蚀组合物,其中Ar1和Ar2彼此不共价连接以形成包括-Ar1-O-C-O-Ar2-的环结构。
7.根据权利要求1-6任一项所述的光致抗蚀组合物,其中R1的每次出现是氢;和
R2的每次出现是未取代或取代的苯基。
8.根据权利要求1-6任一项所述的光致抗蚀组合物,其中R1的每次出现是氢;和
R2的每次出现是苯基、羟苯基、邻-甲氧基苯基、间-甲氧基苯基或对-甲氧基苯基。
9.一种涂覆的基材,所述涂覆的基材包括:(a)在其表面上具有一个或多个要被图案化的层的基材;和(b)在所述的一个或多个要被图案化的层上的权利要求1-8任一项所述的光致抗蚀剂组合物的层。
10.一种形成电子器件的方法,所述方法包括:(a)将权利要求1-8任一项所述的光致抗蚀剂组合物的层施加到基材上;(b)将光致抗蚀剂组合物层图案化曝光于活化辐射;(c)将曝光的光致抗蚀剂组合物层显影,以提供抗蚀剂浮雕图像,和(d)将抗蚀剂浮雕图像蚀刻入下面的基材中。
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