[发明专利]一种高分散性硅膜系抗菌镀膜液及其制备方法

权利要求书

1.一种高分散性硅膜系抗菌镀膜液及其制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

1)引发剂的制备：将含氯硅键的偶氮引发剂溶于干燥的二甲基亚砜，制备浓度为5-50mg/ml引发剂溶液；

2)引发剂接枝：在氮气保护下，将步骤1)所得溶液加入到干燥的纳米二氧化硅中；二氧化硅的颗粒粒径为2-200nm；二氧化硅与引发剂的质量比为50∶1-5∶1；将所得物料室温搅拌8-12h后离心分离，所得固体分别用甲苯、乙醇、丙酮进行洗涤，得到引发剂接枝的二氧化硅样品；

3)单体溶液的配制：将含碳-碳双键的电解质单体溶于水或有机溶剂中，其中单体质量含量为10％-100％；

4)聚合物电解质接枝：步骤2)中所制备的固体加入步骤3)的溶液中，去除体系中空气，在氮气保护下置于恒温槽中，在45-65℃进行聚合反应0.3-6h，反应后的物料经离心分离后用乙醇抽提8-12h，冷冻干燥后即得到聚合物电解质接枝的纳米二氧化硅；

5)将步骤4)中所得到的物料加入到水或乙醇中，超生分散30min-1h，即得到硅膜系抗菌镀膜液。

2.根据权利要求1所述的一种高分散性硅膜系抗菌镀膜液及其制备方法，其特征在于步骤1)中所用含酰氯基团的偶氮类引发剂浓度为5-50mg/ml。

3.根据权利要求1所述的一种高分散性硅膜系抗菌镀膜液及其制备方法，其特征在于步骤2)中所用二氧化硅颗粒粒径为2-200nm。

4.根据权利要求1所述的一种高分散性硅膜系抗菌镀膜液及其制备方法，其特征在于步骤3)中所用含双键的电解质单体既可以是碱性电解质，也可以是中性盐类电解质。

5.根据权利要求1所述的一种高分散性硅膜系抗菌镀膜液及其制备方法，其特征在于步骤4)中的聚合反应时间为30min-6h。

6.根据权利要求1所述的一种高分散性硅膜系抗菌镀膜液及其制备方法，其特征在于步骤4)中采用冷冻干燥的方式对产物进行干燥。

7.根据权利要求1所述的一种高分散性硅膜系抗菌镀膜液及其制备方法，其特征在于所用步骤4)中含碳碳双键电解质单体的浓度为0.01-2mol/l。

8.跟据权利要求1所述的一种高分散性硅膜系抗菌镀膜液及其制备方法，其特征在于通过超声分散得到稳定的抗菌镀膜液。