[发明专利]空穴传输体系不含有离子添加剂的钙钛矿太阳能电池在审
申请号: | 201410445806.1 | 申请日: | 2014-09-03 |
公开(公告)号: | CN104201285A | 公开(公告)日: | 2014-12-10 |
发明(设计)人: | 肖立新;马英壮;郑灵灵;卢泽林;陈志坚;曲波;王树峰;龚旗煌 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46 |
代理公司: | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人: | 李稚婷 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 空穴 传输 体系 含有 离子 添加剂 钙钛矿 太阳能电池 | ||
1.一种钙钛矿太阳能电池,包括依次层叠的衬底、透明电极、电子传输层、吸光层、空穴传输层和顶电极,其中:所述吸光层为具有钙钛矿结构的光伏材料吸光层;其特征在于,所述空穴传输层不含有离子添加剂,而是在空穴传输层中掺杂有非离子型添加剂,或者空穴传输层与顶电极的界面被非离子型添加剂修饰。
2.如权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述空穴传输层的厚度为50~200nm。
3.如权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述空穴传输层中的空穴传输材料为导电高分子有机材料或小分子空穴传输材料。
4.如权利要求3所述的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述导电高分子有机材料选自下列材料中的一种或多种:P3HT、PAN和PTAA;所述小分子空穴传输材料选自下列材料中的一种或多种:TAPC、NPB和TPD。
5.如权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述非离子型添加剂是非离子型的p型掺杂材料。
6.如权利要求5所述的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述非离子型的p型掺杂材料是HAT-CN和/或F4TCNQ。
7.如权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述具有钙钛矿结构的光伏材料为ABX3型晶体结构的有机无机杂化钙钛矿。
8.权利要求1~7任一所述钙钛矿太阳能电池的制备方法,包括以下步骤:
1)在衬底和透明电极上采用电子传输材料制备致密膜,形成电子传输层;
2)在电子传输层上生长钙钛矿材料,形成吸光层;
3)在吸光层上制备不含有离子添加剂、但掺杂有非离子型添加剂或界面被非离子型添加剂修饰的空穴传输层;
4)在空穴传输层上制备顶电极。
9.如权利要求8所述的制备方法,其特征在于,步骤3)在空穴传输材料溶液中添加非离子型添加剂,然后采用溶液旋涂法制备空穴传输层,其中非离子型添加剂的掺杂比为0.1%~5%。
10.如权利要求8所述的制备方法,其特征在于,步骤3)采用真空蒸镀法制备空穴传输层,然后在其上引入1~10nm厚的非离子型添加剂薄层进行界面修饰。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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