[发明专利]一种高电位梯度二氧化锡压敏电阻材料及制备方法无效

专利信息
申请号: 201410445860.6 申请日: 2014-09-03
公开(公告)号: CN104193319A 公开(公告)日: 2014-12-10
发明(设计)人: 徐金宝;张家齐;边亮;王磊 申请(专利权)人: 中国科学院新疆理化技术研究所
主分类号: C04B35/453 分类号: C04B35/453;C04B35/626;C04B35/63
代理公司: 乌鲁木齐中科新兴专利事务所 65106 代理人: 张莉
地址: 830011 新疆维吾尔*** 国省代码: 新疆;65
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摘要:
搜索关键词: 一种 电位 梯度 氧化 压敏电阻 材料 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种高电位梯度二氧化锡压敏电阻材料,其特征在于该材料各组分是由摩尔百分比主相 SnO2  98.1-98.8mol%、致密增强剂Co2O0.9mol%、非线性增强剂Nb2O0.1mol%、电位梯度增强剂Pr6O11 0.14-0.44mol%和电位梯度增强剂Y2O0.06-0.46mol%制成。

2.根据权利要求 1所述的高电位梯度的二氧化锡压敏电阻材料,其特征在于所述致密增强剂氧化钴是以钴的氧化物Co2O3形式引入。

3.根据权利要求 1 所述的高电位梯度的二氧化锡压敏电阻材料,其特征在于所述的非线性增强剂氧化铌是以铌的氧化物Nb2O5形式引入。

4.根据权利要求 1 所述的高电位梯度的二氧化锡压敏电阻材料,其特征在于所述的电位梯度增强剂氧化镨是以镨的氧化物Pr6O11形式引入。

5.根据权利要求 1 所述的高电位梯度的二氧化锡压敏电阻材料,其特征在于所述的电位梯度增强剂氧化钇是以钇的氧化物Y2O3形式引入。

6.一种如权利要求1中所述的高电位梯度二氧化锡压敏电阻材料的制备方法,其特征在于,按下列步骤进行:

a、将原料按摩尔百分比 SnO2  98.1-98.8mol%、Co2O0.9mol%、Nb2O0.1mol%、Pr6O11 0.14-0.44mol%和Y2O0.06-0.46mol%混合,加入300mL无水乙醇,球磨 6-15小时;

b、将步骤a得到的球磨后的浆料烘干,过筛,得到粉料,将粉体按常规方法压制成陶瓷坯体,再将陶瓷坯体在温度800-1500℃下烧结 3-12 小时,即得高电位梯度的二氧化锡压敏电阻材料。

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