[发明专利]功率半导体装置和用于制造功率半导体装置的方法

权利要求书

1.一种具有功率半导体模块(3)和能被液体流过的冷却体(2)的功率半导体装置，其中，所述功率半导体模块(3)具有功率半导体器件(9)，所述功率半导体器件布置在导电的迹线(13)上，其中，所述功率半导体模块(3)具有不导电的绝缘层(6)和冷却板(5)，其中，所述绝缘层(6)布置在所述迹线(13)与所述冷却板(5)之间，其中，所述冷却体(2)具有第一冷却壳体构件和第二冷却壳体构件，所述第一冷却壳体构件具有穿透过所述第一冷却壳体构件的缺口(25)，其中，所述冷却板(5)布置在所述缺口(25)中，其中，所述第一冷却壳体构件和所述第二冷却壳体构件具有的形状和相互之间的布置使得在所述冷却板(5)的背离所述功率半导体器件(9)的侧(D)上构造出空腔(18)，其中，所述冷却板(5)借助围绕所述冷却板(5)的第一焊缝(17)与所述第一冷却壳体构件连接，其中，所述第一焊缝(17)使所述冷却板(5)相对于所述第一冷却壳体构件密封，其中，所述第二冷却壳体构件与所述第一冷却壳体构件连接，并且其中，所述第一焊缝(17)将所述冷却板的侧向侧面(15)与所述第一冷却壳体构件的限定出所述缺口(25)的侧向侧面(16)连接起来，其中，所述第一冷却壳体构件的限定出所述缺口(25)的侧向侧面(16)的区段(16a)具有与所述冷却板(5)的侧向侧面(15)的区段(15a)相对应的形状，其中，所述冷却板(5)的侧向侧面(15)的区段(15a)具有到所述冷却板的朝向所述功率半导体器件(9)的主面(14)的91°至115°或89°至65°的角度(α)，而所述第一冷却壳体构件的限定出所述缺口(25)的侧向侧面(16)的区段(16a)到所述冷却板(5)的朝向功率半导体器件(9)的主面(14)具有等于所述冷却板(5)的侧向侧面(15)的区段(15a)到所述冷却板(5)的朝向功率半导体器件(9)的主面(14)的角度(α)的角度(β)。

2.根据权利要求1所述的功率半导体装置，其特征在于，所述第一焊缝(17)布置在空腔侧。

3.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置，其特征在于，所述第一焊缝(17)布置在所述冷却体(2)的朝向所述功率半导体器件(9)的第一外侧(A)上。

4.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置，其特征在于，所述冷却板(5)具有伸入到所述空腔(18)中的冷却叶片和/或冷却针(19)。

5.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置，其特征在于，所述第一焊缝(17)构造为激光焊缝、电子束焊缝或搅拌摩擦焊缝。

6.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置，其特征在于，所述第二冷却壳体构件借助围绕所述第二冷却壳体构件的第二焊缝与所述第一冷却壳体构件连接，其中，所述第二焊缝使所述第二冷却壳体构件相对于所述第一冷却壳体构件密封。

7.根据权利要求6所述的功率半导体装置，其特征在于，所述第一冷却壳体构件从侧向上包围所述第二冷却壳体构件，其中，所述第二焊缝将所述第二冷却壳体构件的侧向侧面(20)与所述第一冷却壳体构件的内置的侧向侧面(21)连接起来。

8.根据权利要求7所述的功率半导体装置，其特征在于，所述第二焊缝布置在所述冷却体(2)的背离所述功率半导体器件(9)的第二外侧(B)上。

9.根据权利要求6所述的功率半导体装置，其特征在于，所述第二冷却壳体构件具有离所述第一冷却壳体构件而去地突起的腹部(28)，其中，所述第二焊缝将所述第二冷却壳体构件的侧向侧面(20)与所述第一冷却壳体构件的背离所述功率半导体器件(9)的第一主面(29)连接起来。

10.根据权利要求6所述的功率半导体装置，其特征在于，所述第二焊缝构造为激光焊缝、电子束焊缝或搅拌摩擦焊缝。