[发明专利]一种Si-APD的偏压方法有效
| 申请号： | 201410446284.7 | 申请日： | 2014-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN104199502A | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 叶兵;蒋兴亚;汪渝洋 | 申请（专利权）人： | 重庆航伟光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 si apd 偏压 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种Si-APD的偏压方法，包括一背光Si-APD单管和一面光Si-APD单 管，该背光Si-APD单管与面光Si-APD单管相邻设置，其特征在于，将环境对 面光Si-APD单管造成的影响补偿消除，包括如下步骤：对背光Si-APD单管的 暗电流进行连续采样，得到一连续的暗电流值；因暗电流值与面光Si-APD单管 的偏置电压相关；设置一控制电压产生电路连接至背光Si-APD单管和面光 Si-APD单管的共用负极上，控制控制电压产生电路所产生的电压值使得暗电流 值维持在设定值时，该电压值即为相应的偏置电压。
2.根据权利要求1所述一种Si-APD的偏压方法，其特征在于：在背光Si-APD 单管正极接暗电流检测电路进行对该背光Si-APD进行暗电流采样。
3.根据权利要求1所述一种Si-APD的偏压方法，其特征在于：将背光Si-APD 单管和面光Si-APD单管封装于一体。
4.根据权利要求1所述一种Si-APD的偏压方法，其特征在于：所述面光 Si-APD单管连接光电流检测电路。
5.根据权利要求1所述一种Si-APD的偏压方法，其特征在于：所述电压 值与暗电流之间的关系：U＝kI，其中，U-电压值，I-暗电流值，k-系数。
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