[发明专利]原位自组装冲击片发火组件及其制备方法

权利要求书

1.一种原位自组装冲击片发火组件，其特征在于：它包括设置有插针(2)的氧化铝陶瓷基底(1)、金属铜爆炸箔(3)、聚氯代对二甲苯飞片层(4)、光刻胶结构层(5)以及加速膛(6)；所述金属铜爆炸箔(3)设置在所述氧化铝陶瓷基底(1)上；所述聚氯代对二甲苯飞片层(4)设置在所述金属铜爆炸箔(3)上；光刻胶结构层(5)设置在所述聚氯代对二甲苯飞片层(4)上；所述加速膛(6)设置在所述光刻胶结构层(5)内。

2.根据权利要求1所述的原位自组装冲击片发火组件，其特征在于所述的插针(2)是可伐合金插针电极。

3.根据权利要求1所述的原位自组装冲击片发火组件，其特征在于所述的聚氯代对二甲苯飞片层(4)通过真空气相沉积方式沉积在所述金属铜爆炸箔(3)上。

4.根据权利要求1至3任一项权利要求所述的原位自组装冲击片发火组件的制备方法，其特征在于所述的制备方法包括以下步骤：

A、以预先烧结插针的氧化铝绝缘陶瓷为基底，通过磁控溅射工艺在基底上沉积金属铜层，在所述金属铜层上覆盖一层正型光刻胶，获得爆炸箔的掩膜覆盖图形，将金属铜层的剩余区域用FeCl₃腐蚀液进行处理，再用丙酮或环己烷去除覆盖在金属铜层上的光刻胶掩膜，形成爆炸箔；

B、采用真空气相沉积在所获得的爆炸箔基底表面上沉积一层聚氯代对二甲苯薄膜作为聚氯代对二甲苯飞片层；

C、在所述聚氯代对二甲苯飞片层上覆盖光刻胶覆盖层形成光刻胶结构层，对所述光刻胶结构层进行加速膛的结构光刻，得到加速膛结构。

5.根据权利要求4所述的原位自组装冲击片发火组件的制备方法，其特征在于所述的步骤C之后，还包括将所得到的冲击片组件在150℃至180℃的条件下回火8至12分钟步骤，从而完成冲击片发火组件的制备。

6.根据权利要求4所述的原位自组装冲击片发火组件的制备方法，其特征在于所述的步骤A中在所述金属铜层上覆盖一层正型光刻胶步骤后，经过前烘，曝光，后烘，显影，获得爆炸箔的掩膜覆盖图形。

7.根据权利要求4或6所述的原位自组装冲击片发火组件的制备方法，其特征在于所述的步骤A中获得爆炸箔的掩膜覆盖图形后，将剩余区域，用质量比FeCl₃:H₂O为1:2的腐蚀液进行腐蚀。

8.根据权利要求4所述的原位自组装冲击片发火组件的制备方法，其特征在于所述的步骤C中所述光刻胶覆盖层是通过选用转速400至600转/min匀胶8秒至15秒，再用转速1500至2500转/min匀胶25秒至40秒得到。

9.根据权利要求8所述的原位自组装冲击片发火组件的制备方法，其特征在于所述的步骤C中所述光刻胶覆盖层是通过选用转速500转/min匀胶10秒，再用转速1800转/min匀胶30秒得到。

10.根据权利要求4所述的原位自组装冲击片发火组件的制备方法，其特征在于所述的氧化铝绝缘陶瓷基底直径5mm,厚度为2mm；所述金属铜层厚度为3μm；所述正型光刻胶层厚度为2μm；所述形成的爆炸箔厚3μm，桥区宽300μm；聚氯代对二甲苯飞片层厚度为25μm；所述光刻胶覆盖层厚度为400μm。