[发明专利]一种阵列基板及显示装置在审
申请号: | 201410446700.3 | 申请日: | 2014-09-03 |
公开(公告)号: | CN104269410A | 公开(公告)日: | 2015-01-07 |
发明(设计)人: | 马俊才 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1343;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 230012 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括:衬底基板,以及位于所述衬底基板上交叉而置的栅线和数据线、多个薄膜晶体管和与所述薄膜晶体管一一对应的多个像素电极;其中,每个所述薄膜晶体管包括相互绝缘的栅极和有源层,以及与所述有源层分别电性连接的源极和漏极;其特征在于:
每个所述薄膜晶体管在所述衬底基板的正投影完全位于对应的所述像素电极在所述衬底基板的正投影内。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,每个所述薄膜晶体管在所述衬底基板的正投影位于对应的像素电极在所述衬底基板的正投影的中心。
3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,每个所述薄膜晶体管在所述衬底基板的正投影覆盖所述栅线和所述数据线的交叠区域。
4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述栅线和所述数据线的交叠区域在所述衬底基板的正投影,位于各所述薄膜晶体管在所述衬底基板的正投影的中心;每个所述像素电极由呈两行两列排布的形状相同且面积相等的四个分离的像素子电极组成,每个所述像素电极中的四个像素子电极均与对应的薄膜晶体管中的漏极电性连接;
每个所述像素电极中两列像素子电极在所述衬底基板的正投影,位于与对应的薄膜晶体管中的源极电性连接的数据线在所述衬底基板的正投影的两侧;每个所述像素电极中两行像素子电极在所述衬底基板的正投影,位于与对应的薄膜晶体管中的栅极电性连接的栅线在所述衬底基板的正投影的两侧。
5.如权利要求1-4任一项所述的阵列基板,其特征在于,在每个所述薄膜晶体管中,所述源极包围所述漏极,使所述源极和所述漏极之间形成闭合的沟道。
6.如权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述漏极在所述衬底基板的正投影的形状为圆形,所述沟道在所述衬底基板的正投影的形状为圆环形。
7.如权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,在每个所述薄膜晶体管中,所述源极和所述漏极均位于所述有源层的上方,所述栅极位于所述有源层的下方;
每个所述像素电极位于对应的薄膜晶体管中的源极和漏极的上方。
8.如权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,在每个所述薄膜晶体管中,所述源极和所述漏极均位于所述有源层的上方,所述栅极位于所述源极和所述漏极的上方;
每个所述像素电极位于对应的薄膜晶体管中的栅极的上方,且与对应的薄膜晶体管中的栅极相互绝缘。
9.如权利要求7或8所述的阵列基板,其特征在于,还包括:位于各所述薄膜晶体管中的源极和漏极所在膜层与各所述像素电极所在膜层之间的钝化层;
每个所述像素电极通过所述钝化层中的过孔与对应的薄膜晶体管中的漏极电性连接。
10.如权利要求9所述的阵列基板,其特征在于,还包括:部分填充于所述过孔内的隔垫物。
11.一种显示装置,其特征在于,包括:如权利要求1-10任一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的