[发明专利]微细图案形成用积层体

权利要求书

1.一种微细图案形成用积层体，其特征在于，具备被处理体，

设置在所述被处理体的一个主面上的表面具有凹凸结构的第1掩模层，

设置在所述第1掩模层的所述凹凸结构上的第2掩模层，

所述凹凸结构的凸部顶部位置(S)与在所述凹凸结构的凹部内部形成的所述第2掩模层的界面位置(Scc)之间的距离(lcc)，以及所述凹凸结构的高度(h)满足下述式(1)，并且，所述凸部顶部位置(S)与在所述凹凸结构的凸部上部形成的所述第2掩模层的顶部位置(Scv)的距离(lcv)满足下述式(20)，同时，

由所述第1掩模层中的其与所述被处理体的界面和所述凸部顶部位置(S)之间的距离表示的所述第1掩模层的膜厚满足50nm以上、1500nm以下的范围，

式(1)

0<lcc<1.0h

式(20)

0≤lcv<h-lcc。

2.根据权利要求1中记载的微细图案形成用积层体，其特征在于，其满足下述式(3)及下述式(21)，

式(3)

0.02h≤lcc≤0.9h

式(21)

0≤lcv<(h-lcc)/2。

3.根据权利要求2中记载的微细图案形成用积层体，其特征在于，所述第2掩模层含有金属元素。

4.根据权利要求2中记载的微细图案形成用积层体，其特征在于，所述第2掩模层含有溶胶凝胶材料。

5.根据从权利要求3或4中记载的微细图案形成用积层体，其特征在于，在所述被处理体和所述第1掩模层之间形成有硬掩模层。

6.根据权利要求3或4中记载的微细图案形成用积层体，其特征在于，所述被处理体为蓝宝石、石英、硅、ITO、ZnO、SiC或氮化物半导体的任意一种。

7.根据权利要求3或4中记载的微细图案形成用积层体，其特征在于，所述凹凸结构邻接的凸部顶部中央之间的距离或邻接的凹部底部中央之间的距离为50nm以上、1000nm以下。

8.根据权利要求7中记载的微细图案形成用积层体，其特征在于，进行干蚀刻的所述被处理体的蚀刻速率(Vi2)与所述第1掩模层的蚀刻速率(Vo1)的比率(Vo1/Vi2)满足下述式(8)，

式(8)

Vo1/Vi2≤3。

9.根据权利要求8中记载的微细图案形成用积层体，其特征在于，进行干蚀刻的所述第2掩模层的蚀刻速率(Vm1)与所述第1掩模层的蚀刻速率(Vo1)的比率(Vo1/Vm1)满足下述式(7)，

式(7)

3≤Vo1/Vm1。