[发明专利]晶体硅太阳能电池交替式金属前电极及其制备方法在审
申请号: | 201410447527.9 | 申请日: | 2014-09-03 |
公开(公告)号: | CN104183657A | 公开(公告)日: | 2014-12-03 |
发明(设计)人: | 陈奕峰;邓伟伟;陈达明;崔艳峰;王子港;刘斌辉;皮尔·雅各·威灵顿;冯志强 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 常州市科谊专利代理事务所 32225 | 代理人: | 孙彬 |
地址: | 213022 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶体 太阳能电池 交替 金属 电极 及其 制备 方法 | ||
1.一种晶体硅太阳能电池交替式金属前电极,包括多列主栅(6)和多行细栅,细栅与主栅(6)相连接,其特征在于:每行细栅包括呈分布式交替设置的多个连接非银电极(5)和多个局域银电极(4);其中,局域银电极(4)贯穿减反钝化膜(3)后与p-n结形成欧姆接触,连接非银电极(5)设置在减反钝化膜(3)的上表面上,并且每行细栅中,连接非银电极(5)的两端与相邻的局域银电极(4)形成欧姆接触。
2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池交替式金属前电极,其特征在于:所述的主栅(6)在平行于细栅的方向上的宽度为0.1~10mm。
3.根据权利要求1或2所述的晶体硅太阳能电池交替式金属前电极,其特征在于:所述的主栅(6)的成分为银、铜、铝、锡、镍中的至少一种材质。
4.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池交替式金属前电极,其特征在于:所述的局域银电极(4)呈短线分布式布置,在垂直于所述的细栅的方向上,相邻的局域银电极(4)的间距为0.1~10mm;在平行于所述的细栅的方向上,相邻的局域银电极(4)的边缘间距为0.01~10mm,局域银电极(4)的长度为0.1~50mm。
5.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池交替式金属前电极,其特征在于:所述的连接非银电极(5)呈短线分布式布置,在垂直于所述的细栅的方向上,相邻的连接非银电极(5)的间距为0.1~10mm;在平行于所述的细栅的方向上,相邻的连接非银电极(5)的边缘间距为0.1~10mm,连接非银电极(5)的长度为0.01~50mm。
6.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池交替式金属前电极,其特征在于:所述的连接非银电极(5)的成分为铜、铝、锡、镍中的至少一种材质。
7.一种如权利要求1至6中任一项所述的晶体硅太阳能电池交替式金属前电极的制备方法,其特征在于该方法的步骤如下:
(a)提供一至少具有硅基底(1)、N型扩散层(2)和减反钝化膜(3)的初成品,并且减反钝化膜(3)、N型扩散层(2)和硅基底(1)由上至下设置,N型扩散层(2)和硅基底(1)形成p-n结;
(b)在减反钝化膜(3)的上表面上设置呈分布式设置的银浆料;
(c)进行烧结处理使银浆料贯穿减反钝化膜(3)后与p-n结形成欧姆接触,从而形成局域银电极(4);
(d)再在减反钝化膜(3)上制备连接非银电极(5)和主栅(6),确保连接非银电极(5)的两端连接相对应的相邻的局域银电极(4),形成细栅;
(e)退火处理使连接非银电极(5)与相对应的局域银电极(4)形成欧姆接触,从而完成晶体硅太阳能电池交替式金属前电极的制备。
8.根据权利要求7所述的一种晶体硅太阳能电池交替式金属前电极的制备方法,其特征在于:在所述的步骤(b)中,形成局域银电极(4)的银浆料的形成方法为丝网印刷或钢版印刷或复合网版印刷或喷墨印刷或喷头挤压。
9.根据权利要求7所述的一种晶体硅太阳能电池交替式金属前电极的制备方法,其特征在于:在所述的步骤(d)中,连接非银电极(5)的形成方法为丝网印刷或钢版印刷或复合网版印刷。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的