[发明专利]一种提高ITO薄膜性能的磁控溅射工艺无效
| 申请号： | 201410448333.0 | 申请日： | 2014-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN104195519A | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 金井升;蒋方丹;金浩;陈康平 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 吴关炳 |
| 地址： | 314416 浙江省嘉*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 ito 薄膜 性能 磁控溅射 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高ITO薄膜性能的磁控溅射工艺，步骤如下：
第一步，选取高透玻璃衬底，将其放入磁控溅射设备中；
第二步，将磁控溅射设备的温度调至300℃，抽真空度至10^(-4)Pa；
第三步，在磁控溅射设备中通入氩气与氧气的混合气体，所述氩气与氧气的流量比为40:1，沉积压力为10^(-3)Pa；
第四步，开启磁控溅射设备电源，进行ITO薄膜沉积，其电源功率为1800W，所述ITO薄膜沉积时间为10min；
第五步，ITO薄膜沉积后，关闭磁控溅射设备电源，停止通入氩气与氧气的混合气体；
第六步，在磁控溅射设备中充气至大气压，温度降低至室温，最后取出高透玻璃衬底；
其特征在于：在第五步与第六步之间增加原位真空低温退火步骤，所述原位真空低温退火步骤的具体工艺为：在磁控溅射设备中继续抽真空，保持温度300℃、真空度为10^(-4)Pa，时间为30min。
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