[发明专利]密度传感器有效

专利信息
申请号: 201410449118.2 申请日: 2014-09-04
公开(公告)号: CN104181079B 公开(公告)日: 2017-02-22
发明(设计)人: 杨云博 申请(专利权)人: 北京天辰博锐科技有限公司
主分类号: G01N9/24 分类号: G01N9/24
代理公司: 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 代理人: 吴大建,刘华联
地址: 102208 北京市昌平区*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 密度 传感器
【权利要求书】:

1.一种密度传感器,包括:

壳体,从所述壳体向外延伸的振动体,

设置在所述壳体内的激振器和拾振器,

其中,将所述振动体浸入到待测液体内,所述激振器驱动所述振动体振动,所述拾振器检测所述振动体的振动频率,根据所述振动频率而得到所述待测液体的密度。

2.根据权利要求1所述的密度传感器,其特征在于,所述激振器和拾振器与所述振动体直接接触。

3.根据权利要求1或2所述的密度传感器,其特征在于,所述振动体包括沿所述壳体的轴向同向延伸的主振体和共振体,所述激振器驱动所述主振体振动,所述共振体发生共振,所述拾振器检测共振体的振动频率。

4.根据权利要求3所述的密度传感器,其特征在于,所述激振器包括固定设置在壳体内的第一压电激励器,所述第一压电激励器驱动所述主振体振动。

5.根据权利要求4所述的密度传感器,其特征在于,所述第一压电激励器为柱状并且沿所述壳体的轴向而设置,所述主振体与所述壳体相连的端面与第一压电激励器的端面正对。

6.根据权利要求3到5中任一项所述的密度传感器,其特征在于,所述拾振器包括固定设置在所述壳体内的第二压电激励器,所述第二压电激励器检测所述共振体的振动频率。

7.根据权利要求6所述的密度传感器,其特征在于,所述第二压电激励器为柱状并且沿所述壳体的轴向而设置,所述共振体与所述壳体相连的端面与第二压电激励器的端面正对。

8.根据权利要求4或6所述的密度传感器,其特征在于,所述第一压电激励器和第二压电激励器为柱状压电陶瓷体。

9.根据权利要求8所述的密度传感器,其特征在于,所述柱状压电陶瓷体的底面直径与高度之比在1∶1-1∶2之间。

10.根据权利要求1到9中任一项所述的密度传感器,其特征在于,还包括设置在所述壳体内的温度传感器。

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