[发明专利]变掺杂器件制作方法及变掺杂器件在审
| 申请号： | 201410449573.2 | 申请日： | 2014-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN105390397A | 公开（公告）日： | 2016-03-09 |
| 发明（设计）人： | 杜蕾;郑玉宁 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 100871 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺杂 器件 制作方法 | ||
1.一种变掺杂器件制作方法，其特征在于，包括：
步骤S3，直接在半导体衬底上形成光刻层，将需要掺杂的杂质注入到半导体衬底中；
步骤S4，去除光刻层；
步骤S5，推阱；
步骤S6，去除氧化层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S3可替换为：
步骤S3’，在半导体衬底上生长氧化层，并在生成的氧化层上直接形成光刻层，将需要掺杂的杂质注入到半导体衬底中。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述步骤S5具体包括：
步骤S51，在1100±50℃的氮气氛围推阱200±10mins；
步骤S52，在1000±50℃的氧气氛围推阱并生长氧化层50±5mins，生长厚度为5000埃的氧化层。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤S3’中生长的氧化层的厚度为300±20埃。
5.如权利要求1或2任一项所述的方法，其特征在于，在所述步骤S3或步骤S3’之前，所述方法还包括：
步骤S1，在半导体衬底上形成光刻层，进行零层光刻和刻蚀，形成定位槽；
步骤S2，去除光刻层。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤S1中形成的定位槽在划片道上。
7.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底为N型，所述需要掺杂的杂质为P型杂质。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底具体为75±5um厚的N型衬底外延片，电阻率为23±2ohm.cm。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述需要掺杂的杂质具体为硼，注入能量为160*(1±10％)Kev，剂量为6.0E12*(1±10％)。
10.一种采用如权利要求1-9任一项的方法制作的变掺杂器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
