[发明专利]干法刻蚀微电机系统牺牲层的方法有效
| 申请号： | 201410449776.1 | 申请日： | 2014-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN104261345A | 公开（公告）日： | 2015-01-07 |
| 发明（设计）人： | 史晔;雷述宇 | 申请（专利权）人： | 北方广微科技有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区经济技*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 微电机 系统 牺牲 方法 | ||
1.一种干法刻蚀微电机系统牺牲层的方法，该方法包括以下步骤：
a、提供CMOS集成电路的半导体衬底(1)，该半导体衬底表面具有CMOS集成电路引线端(10)；
b、在所述半导体衬底(1)上涂覆牺牲层(2)；
c、在所述牺牲层(2)上涂覆光刻胶(3)；
d、分两步对涂覆光刻胶(3)的牺牲层(2)进行反应离子刻蚀，形成所需图形(4)，其中在所述两步中采用不同流量配比的氟基气体与氧原子的混合气体刻蚀；
e、依次对刻蚀后的图形(4)进行有机化学溶液、无机化学溶液、去离子水的清洗及甩干。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述牺牲层(2)的材料是聚酰亚胺。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤d中，在所述两步中的第一步采用的氟原子和碳原子的气体流量配比为4:1～3:1，氟原子和氧原子的气体流量配比为1:60～1:80，第二步采用的氟原子和碳原子的气体流量配比为4:1～3:1，氟原子和氧原子的气体流量配比为1:1.5～1:3。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，图形(4)的形貌为两台阶状，所述两台阶状的高度及垂直度通过调整所述两步刻蚀的时间及次序进行调整。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在刻蚀后的图形(4)的聚酰亚胺高度为1μm-2.2μm的情况下，第一步和第二步中的刻蚀时间分别为45s-110s。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤d中，两步刻蚀工艺中采用的气体压强为100～500mtoor，刻蚀的射频功率为200～800W。
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