[发明专利]一种铁制框架电镀的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种引线框架的制造方法，具体涉及铁制框架的电镀的方法。

背景技术

目前引线框架因其导电性能的需要，多用铜材料制造，且为了进一步的增强其导电性能，一般采用镀银工艺。众所周知，铜材料比铁制材料贵，其本体框架采用铜材料制造，会增大投入。

现有的电镀工艺，不能满足框架等不规则形状的电镀、保证其导电能性能及符合半导体芯片的使用标准的要求。

发明内容

本发明的目的是提供一种电镀效果好且节省生产投入的铁制框架的电镀方法。

为了解决上述问题，本发明提供了一种铁制框架电镀的方法，包括以下步骤：步骤一：固定好铁带框架；将铁带框架固定悬挂于支架上。

步骤二：阴极-阳极联合除油；将支架置于碱性电解液上方，使得铁带框架置于碱性电解液中作为第一电极，金属板作为第二电极，连接好电源，进行阴极-阳极联合除油，除油完毕后，将支架置于清洗箱中，用清水进行第一次冲洗。

步骤三：镀酸铜；将支架置于酸铜电解液上方，铁带框架置于酸铜电解液中，作为阴极，阳极为铜板，连接好电源，进行镀酸铜，增加铁带框架的导电性；镀酸铜完毕后，用清水进行第二次冲洗。

步骤四：预镀银；将支架置于银离子浓度较低的氰化物槽液上方，铁带框架置于银离子浓度较低的氰化物槽液中作为阴极，阳极为银板，连接电源，避免镀银直接在在酸铜表面上进行；改变零件表层的电位为接下来的镀银步骤做准备。

步骤五：镀银；将支架置于正氰化镀银溶液上方，将铁带框架置于正氰化镀银溶液中作为阴极，阳极为银板，连接好电源，进行镀银处理。

步骤六：退银；将铁带框架置于退银机中，退银，回收银粉，完毕后，用清水进行第三次冲洗。

步骤七：铜保护；将支架置于铜保护剂溶液上方，保证铁带框架完全浸渍于溶液中，本步骤会在铁带框架表面形成的一层无色透明薄膜。

步骤八：烘干，从支架上取下铁带框架，完成电镀过程。

作为本发明的进一步改进，所述除油时间：阴极除油时间为3.5-5min，阳极除油时间为0.7-1.5min。在阴极-阳极联合除油步骤中所使用的电源为阴阳极自动转换电源，所述阴极-阳极联合除油步骤包括：先进性阴极除油，再进行阳极除油。

作为本发明的进一步改进，所述镀酸铜的电解液的温度为22-28℃，所述预镀银的电解液的温度为22-24℃，所述镀银的电解液的温度为22-28℃。

作为本发明的进一步改进，所述进行铜保护的时间为15-35min，所述冲洗的时间为12-25min。所述酸铜溶液为硫酸和硫酸铜的混合液。

与现有的处理方法相比，本发明具有以下优点。

（1）本发明的框架主体为铁制，相对于一般铜制或银制的引线框架主体来说，节省了支出，且根据本发明的电镀处理步骤，得到的引线框架，其导电性能符合半导体芯片的要求。镀酸铜的步骤可以保证本发明的的引线框架的导电性能，铁制本体的导电性能不及铜或银，电镀后可以使引线框架的导电性能达到使用要求。本发明的镀酸铜层与镀银层连接紧密，使得产品的稳定性提高，使用时间增加，减少支出，符合保护环境的要求；其原因是银是一种正电性较强的贵金属，根据电化序中的排序，铜在银的前面，那么铜的电位就比银负。当铜零件与镀银液接触时，铜就会与电解液中的银粒子发生置换反应，结果铜转变为铜离子进入溶液中，而银离子得到电子从溶液中析出沉积在铜零件上。这种反应的进行不仅是铜离子污染了镀银槽，更严重的是所得到的银层比较疏松，与铜基体的结合力不牢。如果在这层疏松的置换银镀层上进行电镀，则所得到的镀层是达不到结合力指标及质量要求的，因此本发明的处理工艺中，在镀酸铜完成后进行了特殊的镀前预处理，镀银预处理中有两种方法，一种为：汞齐化处理，具有一定的腐蚀性，汞有毒，对于精密度要求高的零件不宜采用；第二种为采用氰化铜预镀或在银离子浓度较低的氰化物槽液中预镀银。步骤六退银，可以回收银；处理过程中不用使用硝酸、硫酸，也不用使用氰化物等有毒化学品。不会伤害到铜基材、铁基材，只退银；退银过程中使用的水可循环使用，投入低；其一般包括退银——将沉淀所得的银粉捞出——提纯处理——灼烧成银锭等步骤，可以避免造成浪费及重金属流失，利于再次使用。铜保护为保护剂在酸铜及镀银表面及铁制框架表面形成的一层无色透明薄膜，膜厚为2-6个纳米。可以防止水、海水、大气、氧、硫化氢、二氧化硫、以及部分有机蒸汽对工件的侵蚀，增加使用时间，减少支出。