[发明专利]MEMS差压传感器芯片及制作方法

权利要求书

1.MEMS差压传感器芯片，其特征在于，包括位于下部的衬底和位于上部的结构层， 

在所述衬底顶面设有导压通道，

在所述上部结构层底面设有敏感压力浅腔和基准压力浅腔，所述上部结构层顶面与所述敏感压力浅腔和所述基准压力浅腔之间分别为敏感压力膜和基准压力膜，

所述导压通道连通所述敏感压力浅腔和所述基准压力浅腔，

在所述基准压力膜上设置有贯穿所述基准压力膜的导压孔，

在所述敏感压力膜顶部设有压敏电阻，所述压敏电阻与金属引线连接。

2.如权利要求1所述MEMS差压传感器芯片，其特征在于，在所述上部结构层顶面覆盖有绝缘隔离层。

3.如权利要求1所述MEMS差压传感器芯片，其特征在于，在所述衬底底面中部设有热隔离腔。

4.如权利要求1所述的MEMS差压传感器芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

A、在所述衬底顶面光刻，定义出所述导压通道图形，

在所述衬底底面光刻，定义出热隔离腔和槽状对准标记，然后利用湿法双面腐蚀形成所述导压通道、所述热隔离腔和所述槽状对准标记；

B、在所述结构层底面上进行光刻，定义出所述敏感压力腔和所述基准压力腔的图形，然后利用湿法腐蚀形成所述敏感压力腔和所述基准压力腔；

C、对所述衬底和所述结构层进行键合对准和预键合，然后将预键合后的所述衬底和所述结构层放置在高温退火炉中进行硅硅键合退火，所述衬底与所述结构层之间实现硅硅键合并形成密封；

D、在所述结构层顶面光刻出所述压敏电阻所在区域的图形，注入离子并扩散，形成所述压敏电阻；

E、在所述压敏电阻两端光刻并刻蚀出引线孔，在所述引线孔内溅射金属形成金属层，光刻并腐蚀金属层，形成所述金属引线；

F、在所述基准压力膜上光刻并干法干法刻蚀出所述导压孔。

5.如权利要求4所述MEMS差压传感器芯片的制作方法，其特征在于，在所述步骤A之前，要选择单晶硅片作为所述衬底，对所述衬底表面进行热氧化形成氧化层；在所述步骤A之后要去除所述氧化层；

在所述步骤B之前，要选择SOI硅片作为所述结构层，对所述结构层进行热氧化形成热氧化层，然后进入LPCVD淀积低应力氮化硅，形成氮化硅层；在所述步骤B之后，要去除所述热氧化层和所述氮化硅层。

6.如权利要求4所述MEMS差压传感器芯片的制作方法，其特征在于，在所述步骤C之前，要对所述衬底和所述结构层进行兆声波清洗和表面处理。

7.如权利要求4所述MEMS差压传感器芯片的制作方法，其特征在于，所述硅硅键合退火的温度为1100摄氏度，时间为1小时。