[发明专利]基于广义忆阻Colpitts振荡器的混沌信号发生器

权利要求书

1.基于广义忆阻Colpitts振荡器的混沌信号发生器，其特征在于：包括电容C₁、电容C₂、电容C₃、电感L、电阻R₁、电阻R₂、双极性晶体管Q、基于忆阻二极管桥的广义忆阻器M；其中双极性三极管Q的基极端与发射极端分别与电容C₁的正、负极端相连，分别记做a、b端；双极性三极管Q的集电极与电感L的一端相连，记做c端；电感L的另一端与电阻R₁的一端相连，记做d端；电阻R₁的另一端与电源V_CC的正极端相连；电源V_CC的负极端与a端相连；基于忆阻二极管桥的广义忆阻器M的正极端与电容C₃的正极端相连，记做e端；电容C₃的负极端与电容C₂的正极端相连，记做f端；电容C₂的负极端与b端相连；基于忆阻二极管桥的广义忆阻器M的负极端与电源V_EE的负极端相连，记做g端；电源V_EE的正极端与电阻R₂的一端相连；电阻R₂的另一端与b端相连；其中c、d端分别与f、e端相连；a、g端分别接地。

2.根据权利要求1所述的基于广义忆阻Colpitts振荡器的混沌信号发生器，其特征在于：所述基于忆阻二极管桥的广义忆阻器M包括：二极管D₁、二极管D₂、二极管D₃、二极管D₄、电阻R₀、电容C₀；二极管D₁负极端与二极管D₂负极端相连，记作h端；二极管D₂正极端与二极管D₃负极端相连，记作i端；二极管D₃正极端与二极管D₄正极端相连，记作j端；二极管D₄负极端与二极管D₁正极端相连，记作k端；其中h端、j端分别与电容C₀的正、负极端相连，依次分别记为l、m端；电阻R₀的正、负极端分别与l、m端相连。

3.根据权利要求1或2所述的基于广义忆阻Colpitts振荡器的混沌信号发生器，其特征在于：含有五个内部状态变量，分别为电容C₁量两端电压v₁，电容C₂量两端电压v₂，电容C₃量两端电压v₃，通过电感L电流i_L，广义忆阻器M内部电容C₀量两端电压v₀。