[发明专利]一种CIGS基薄膜太阳电池及其制备方法有效
申请号: | 201410453641.2 | 申请日: | 2014-09-05 |
公开(公告)号: | CN104617183A | 公开(公告)日: | 2015-05-13 |
发明(设计)人: | 李艺明;田宏波 | 申请(专利权)人: | 厦门神科太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0392;H01L31/0749 |
代理公司: | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人: | 张松亭 |
地址: | 361000 福建省厦门市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 cigs 薄膜 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种CIGS基薄膜太阳电池的制备方法,该制备方法包括如下步骤:在玻璃基板上形成一含有Li、K中至少一种元素的碱过滤层、在碱过滤层上形成一金属背电极层、在金属背电极层上形成CIGS基光吸收层、在光吸收层上形成一缓冲层、在缓冲层上形成一n型透明导电膜层,其中,所述的碱过滤层厚度为1–15nm,且允许玻璃基板中的一部分碱金属离子通过热扩散进入到CIGS光吸收层中,此外,所述的光吸收层中的碱金属离子单从玻璃基板中的碱金属离子扩散进入光吸收层,或从玻璃基板中的碱金属离子和含有碱金属离子的铜铟镓金属预制层中的碱金属离子一同扩散进入光吸收层;所述CIGS基光吸收层由铜铟镓金属预制层或含有碱金属离子的铜铟镓金属预制层进行硒化和/或硫化热处理后获得。
2.根据权利要求1所述的一种CIGS基薄膜太阳电池的制备方法,其特征在于:所述碱过滤层的厚度为2–13nm。
3.根据权利要求1所述的一种CIGS基薄膜太阳电池的制备方法,其特征在于:所述碱过滤层包括Li、K中的至少一种元素和Si、Al、O三种元素。
4.根据权利要求3所述的一种CIGS基薄膜太阳电池的制备方法,其特征在于:所述碱过滤层含有0.005-5wt%的Li、K中的至少一种元素。
5.根据权利要求3所述的一种CIGS基薄膜太阳电池的制备方法,其特征在于:所述碱过滤层由溅射镀膜获得。
6.根据权利要求1所述的一种CIGS基薄膜太阳电池的制备方法,其特征在于:所述含有碱金属离子的铜铟镓金属预制层含有0.01at%-0.15at%的碱金属离子。
7.根据权利要求1所述的一种CIGS基薄膜太阳电池的制备方法,其特征在于:所述碱金属离子是Na、K、Li中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的一种CIGS基薄膜太阳电池的制备方法,其特征在于:所述玻璃基板为普通超白钠钙玻璃或高应变点钠钙玻璃。
9.根据权利要求1所述的一种CIGS基薄膜太阳电池的制备方法,其特征在于:所述含有碱金属离子的铜铟镓金属预制层是通过含有碱金属离子的溅射靶材溅射沉积或在铜铟镓金属预制层上沉积一层含有碱金属离子的薄膜层。
10.一种CIGS基薄膜太阳电池,其特征在于:根据权利要求1至9任一项的方法制备而成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的