[发明专利]半导体设备的硅化

权利要求书

1.一种用于执行栅极电极的硅化的方法，包括：

在同一个半导体基板上形成半导体设备以及具有被帽盖层覆盖的第一栅极电极的第一晶体管；

形成有机平坦化层(OPL)于该第一晶体管及该半导体设备上；

回蚀刻该有机平坦化层，使得该有机平坦化层的上表面位准低于该帽盖层的上表面位准；

形成覆盖该半导体设备及暴露该第一晶体管的掩模层；

在经回蚀刻的有机平坦化层及该掩模层存在时，移除该帽盖层；以及

执行该第一栅极电极的硅化。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，该半导体设备为包含第二栅极电极以及防止该第二栅极电极在该第一栅极电极的硅化期间硅化的第二帽盖层的第二晶体管。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，该半导体设备为电阻器设备。

4.根据权利要求1所述的方法，更包括：形成该第一晶体管的源极区/漏极区，以及其中，在该第一栅极电极的硅化期间，亦硅化该第一晶体管的该源极区及该漏极区。

5.根据权利要求1所述的方法，更包括：在执行该第一栅极电极的硅化之前，移除该掩模层及该经回蚀刻的有机平坦化层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，回蚀刻该有机平坦化层、移除该帽盖层、移除该经回蚀刻的有机平坦化层及该掩模层的步骤都在单一处理室中执行而不从该单一处理室移出该半导体基板。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成该掩模层包括：形成光阻涂层于该经回蚀刻的有机平坦化层、该第一晶体管及该半导体设备上，以及图案化该光阻涂层，以暴露该第一晶体管。

8.一种执行半导体设备硅化的方法，包括：

在同一个半导体基板上形成半导体设备与包含被帽盖层覆盖的含多晶硅的层的第一结构；

形成有机平坦化层(OPL)于该第一结构及该半导体设备上；

回蚀刻该有机平坦化层，使得该有机平坦化层的上表面位准低于该帽盖层的上表面位准；

形成覆盖该半导体设备及暴露该第一结构的掩模层；

在经回蚀刻的有机平坦化层及该掩模层存在时，移除该帽盖层；以及

执行硅化步骤。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，藉由执行该硅化步骤，硅化该含多晶硅的层，藉此形成硅化多晶硅熔线。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，该含多晶硅的层为取代栅极，以及更包括在移除该帽盖层后以栅极电极取代该取代栅极。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，该第一结构包括邻接该含多晶硅的层的侧壁间隔体，以及执行该硅化步骤包括硅化该栅极电极及经形成与该侧壁间隔体邻接的源极/漏极区。

12.根据权利要求8所述的方法，更包括在执行该硅化步骤之前，移除该掩模层及该经回蚀刻的有机平坦化层。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，回蚀刻该有机平坦化层、移除该帽盖层、移除该经回蚀刻的有机平坦化层及该掩模层的步骤都在单一处理室中执行而不从该单一处理室移出该半导体基板。

14.根据权利要求8所述的方法，其中，形成该掩模层包括形成光阻涂层于该经回蚀刻的有机平坦化层、该第一结构及该半导体设备上，以及图案化该光阻涂层，以暴露该第一结构。

15.根据权利要求8所述的方法，其中，该半导体设备为包含第二栅极电极及防止该第二栅极电极在该硅化步骤期间硅化的第二帽盖层的晶体管。

16.根据权利要求8所述的方法，其中，该半导体设备为电阻器设备。