[发明专利]垂直集成系统

权利要求书

1.一种集成电路系统，包括：

第一层，包括半导体管芯的有源电路；

在所述半导体管芯的与所述有源电路相反的相反侧上的包括电路元件的第二层，所述电路元件包括至少一个分立的无源部件；

将所述电路元件耦合到所述有源电路的电路径；

与所述第一层和所述第二层垂直堆叠的第三层，所述第三层包括微机电系统MEMS部件，其中所述第三层与所述半导体管芯进行通信；以及

位于所述半导体管芯的背侧上并且覆盖所述至少一个分立的无源部件的保护层，

其中所述集成电路系统中的两层利用锁定特征部连接，

其中所述第二层包括可修改链路，其配置为在所述第一层、第二层和第三层垂直堆叠之后调整所述集成电路系统的性能。

2.如权利要求1所述的系统，还包括远端感测管道，配置为向所述MEMS部件提供输入，所述输入来自于所述集成电路系统外部的源。

3.如权利要求2所述的系统，其中，所述远端感测管道包括热电偶、光学通道、或延伸穿过半导体管芯的通路之一。

4.如权利要求1所述的系统，其中，所述半导体管芯配置为储存识别所述MEMS部件的机械位置的数据。

5.如权利要求1所述的系统，其中，在操作期间，所述集成电路系统配置为将所述MEMS部件标准化到初始机械位置。

6.如权利要求1所述的系统，其中，所述MEMS部件包括陀螺仪、射频RF MEMS开关、过滤部件或热电部件之一。

7.如权利要求1所述的系统，其中，所述电路径包括延伸穿过所述半导体管芯的通路。

8.如权利要求7所述的系统，其中，所述通路包括阶梯状同心开口。

9.如权利要求1所述的系统，其中，所述第三层是测量层，且其中所述测量层包括配置为优化对外部介质的操作的特征。

10.如权利要求1所述的系统，其中，所述MEMS部件制造在MEMS管芯上，且其中所述MEMS管芯和所述半导体管芯具有不同的操作电压。

11.如权利要求1所述的系统，其中，所述MEMS部件制造在MEMS管芯上，且其中所述系统还包括配置为磁耦合所述半导体管芯的有源电路和所述MEMS管芯的电路的电感线圈。

12.如权利要求1所述的系统，其中，所述第二层还包括所述无源部件之间的电连接。

13.如权利要求1所述的系统，其中，所述第一层在所述半导体管芯的第一侧，所述第二层在所述半导体管芯的第二侧，所述第一侧与所述第二侧相反。

14.如权利要求13所述的系统，其中，所述第三层设置在所述半导体管芯的第二侧。

15.如权利要求1所述的系统，其中，所述第二层是与所述第一层分开制造的预制层。

16.一种电子装置，包括：

电路板；以及

在所述电路板上的垂直集成电路，所述垂直集成电路包括：

第一层，包括半导体管芯的有源电路；

在所述半导体管芯的与所述有源电路相反的相反侧上的包括电路元件的第二层，所述电路元件包括至少一个分立的无源部件；

将所述电路元件耦合到所述有源电路的电路径；

与所述第一层和所述第二层垂直堆叠的第三层，所述第三层包括微机电系统MEMS部件，其中所述第三层与所述半导体管芯进行通信；以及

位于所述半导体管芯的背侧上并且覆盖所述至少一个分立的无源部件的保护层，

其中所述垂直集成电路中的两层利用锁定特征部连接，

其中所述第二层包括可修改链路，其配置为在组装之后调整所述垂直集成电路系统的性能。