[发明专利]无核心层封装基板与其制造方法

权利要求书

1.一种无核心层封装基板的制造方法，其特征在于，所述无核心层封装基板的制造方法包含：

在承载基板上形成第一图案化金属层，其中所述第一图案化金属层具有牺牲区块与多个导体柱；

在所述承载基板与所述第一图案化金属层上形成介电层；

平坦化所述介电层并裸露出所述第一图案化金属层；

薄化所述第一图案化金属层，使所述介电层凸出于所述第一图案化金属层；

在所述牺牲区块上形成蚀刻停止层；

在所述蚀刻停止层、所述介电层、与所述第一图案化金属层上形成第二图案化金属层；

在所述第二图案化金属层、所述蚀刻停止层、所述介电层、与所述第一图案化金属层上形成第一增层结构；

移除所述承载基板；

移除所述第一图案化金属层的所述牺牲区块，并形成置晶凹槽；以及

移除所述蚀刻停止层；

其中第一增层结构包含至少一个第一介电层、设于所述第一介电层上的第一增层线路层以及形成于所述第一介电层中的多个第一导电盲孔，其中部分的所述多个第一导电盲孔电性连接所述第二图形化金属层与所述第一增层线路层。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包含：

移除所述第一介电层的部分表面厚度，使位于所述置晶凹槽的所述第二图案化金属层凸出于所述第一介电层并形成多个凸块。

3.一种堆叠封装结构的制造方法，其特征在于，所述堆叠封装结构的制造方法包含：

提供使用如权利要求1或2所述的制造方法所制造的无核心层封装基板；

在所述置晶凹槽中放置晶片，并与所述第二图案化金属层形成电性连接；

在所述置晶凹槽与所述晶片之间的空隙中填充绝缘材料，使所述晶片固定于所述无核心层封装基板，以形成第一封装结构；以及

在所述第一封装结构设有所述晶片的一侧设置第二封装结构，且所述第二封装结构电性连接所述第一封装结构的所述多个导体柱。

4.一种封装结构的制造方法，其特征在于，所述封装结构的制造方法包含：

提供使用如权利要求1或2所述的制造方法所制造的无核心层封装基板；

在所述置晶凹槽中放置晶片，并与所述第二图案化金属层形成电性连接；

在所述置晶凹槽与所述晶片之间的空隙中填充绝缘材料，使所述晶片固定于所述无核心层封装基板；以及

在所述无核心层封装基板设有所述晶片的一侧形成第二增层结构，其中所述第二增层结构包含至少一个第二介电层、形成于所述第二介电层上的第二增层线路层以及形成于所述第二介电层中的多个第二导电盲孔，其中部分的所述多个第二导电盲孔电性连接所述多个导体柱与所述第二增层线路层。

5.一种无核心层封装基板，其特征在于，所述无核心层封装基板包含：

介电层，其具有置晶开口与多个贯孔；

第一介电层，其设于所述介电层下方表面上，并与所述置晶开口构成置晶凹槽；

图形化金属层，其具有埋设于所述第一介电层中且部分设于所述介电层下方表面的线路层、与埋设且外露于构成所述置晶凹槽的部分所述第一介电层的多个凸块；

多个导体柱，其设于所述多个贯孔中，并电性连接所述线路层，其中设于所述多个导体柱下方表面的所述线路层的厚度与设于所述置晶凹槽的所述多个凸块的厚度皆大于设于所述介电层下方表面的线路层的厚度；

第一增层线路层，其设于所述第一介电层下方表面；以及

多个第一导电盲孔，其设于所述第一介电层中，且所述多个第一导电盲孔电性连接所述第一增层线路层与所述线路层或所述多个凸块；其中

所述第一介电层、所述第一增层线路层、与所述多个第一导电盲孔构成第一增层结构或所述第一增层结构的最小增层单位。

6.如权利要求5所述的无核心层封装基板，其中所述多个凸块凸出于所述多个凸块周围的所述第一介电层。

7.一种堆叠封装结构，其特征在于，所述堆叠封装结构包含：

如权利要求5或6所述的无核心层封装基板；

晶片，其设于所述置晶凹槽中，且电性连接所述多个凸块；

绝缘材料，其设于所述置晶凹槽与所述晶片之间的空隙中，使所述晶片固定于所述无核心层封装基板，以形成第一封装结构；以及

第二封装结构，其设于所述第一封装结构设有所述晶片的一侧，且电性连接所述第一封装结构的所述多个导体柱。

8.一种封装结构，其特征在于，所述封装结构包含：

如权利要求5或6所述的无核心层封装基板；

晶片，其设于所述置晶凹槽中，且电性连接所述多个凸块；

绝缘材料，其设于所述置晶凹槽与所述晶片之间的空隙中，使所述晶片固定于所述无核心层封装基板；以及

第二增层结构，其设于所述无核心层封装基板设有所述晶片的一侧，其中所述第二增层结构包含至少一个第二介电层、设于所述第二介电层上的第二增层线路层以及设于所述第二介电层中的多个第二导电盲孔，其中部分的所述多个第二导电盲孔电性连接所述多个导体柱与所述第二增层线路层。