[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置有效
| 申请号： | 201410455906.2 | 申请日： | 2014-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN105470134B | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构，在所述栅极结构两侧的半导体衬底中分别形成有重掺杂漏区和重掺杂源区；在所述重掺杂漏区中形成具有非竖直侧壁轮廓的沟槽；
在所述沟槽的底部和侧壁下部形成掺杂材料层；
形成外延材料层，以填充所述沟槽的剩余部分；
在所述外延材料层的顶部形成硅化物层；
形成所述重掺杂漏区和所述重掺杂源区之前，还包括在所述栅极结构两侧的半导体衬底中依次形成低掺杂源/漏区和袋状区的步骤，所述袋状区离子注入的离子与所述低掺杂源/漏区注入的离子导电类型相反。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沟槽为∑状或者倒三角形。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沟槽的深度为3nm-100nm。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述沟槽的工艺步骤包括：在所述半导体衬底上形成露出所述重掺杂漏区的图案化的掩膜；通过先干法蚀刻再湿法蚀刻的工艺在所述重掺杂漏区中形成所述沟槽。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对于所述半导体衬底中的NMOS区而言，所述掺杂材料层中的掺杂物质为硼或者氟硼，掺杂剂量为5.0×e18cm-3-1.0×e20cm-3；对于所述半导体衬底中的PMOS区而言，所述掺杂材料层中的掺杂物质为磷，掺杂剂量为5.0×e18cm-3-1.0×e20cm-3。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对于所述半导体衬底中的NMOS区而言，所述外延材料层的构成材料为硅或者碳硅；对于所述半导体衬底中的PMOS区而言，所述外延材料层的构成材料为硅或者锗硅。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极结构包括依次层叠的栅极介电层、栅极材料层和栅极硬掩蔽层。
8.一种采用权利要求1-7之一所述的方法制造的半导体器件。
9.一种电子装置，所述电子装置包括权利要求8所述的半导体器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
