[发明专利]CMOS结构的制造方法

权利要求书

1.一种制造CMOS结构的方法，包括：

在半导体衬底的第一区域上方形成第一栅叠层；

在半导体衬底的第二区域上方形成第二栅叠层；

以第一栅叠层和第二栅叠层作为硬掩模，注入第一类型的掺杂剂，形成第一类型的轻掺杂漏区；以及

采用第一掩模，以及以第二栅叠层作为硬掩模，注入第二类型的掺杂剂，形成第二类型的轻掺杂漏区，其中第一掩模遮挡第一区域并且暴露第二区域，

其中，在形成第二类型的轻掺杂漏区的步骤中，第二类型的掺杂剂相对于第一类型的掺杂剂过掺杂。

2.根据权利要求1所述的方法，其中第一栅叠层和第二栅叠层分别包括栅极导体和栅极电介质，并且栅极电介质位于栅极导体和半导体衬底之间。

3.根据权利要求2所述的方法，其中栅极导体由多晶硅组成。

4.根据权利要求3所述的方法，在形成第一栅叠层和第二栅叠层的步骤之后，还包括对第一栅叠层和第二栅叠层至少之一的栅极导体掺杂以改变其功函数。

5.根据权利要求1所述的方法，其中在形成第一栅叠层的步骤之前，还包括以下步骤至少之一：

在半导体衬底的第一区域注入第二类型的掺杂剂，形成第二类型的第一阱区；和

在半导体衬底的第二区域注入第一类型的掺杂剂，形成第一类型的第二阱区。

6.根据权利要求5所述的方法，其中根据阈值电压的需要确定第一阱区和第二阱区至少之一的掺杂浓度。

7.根据权利要求1所述的方法，其中在形成第一栅叠层的步骤之前，还包括：

在半导体衬底中形成浅沟槽隔离，所述浅沟槽隔离限定用于第一类型的MOSFET的第一区域以及用于第二类型的MOSFET的第二区域。

8.根据权利要求1所述的方法，其中在形成第一栅叠层和第二栅叠层的步骤之后，以及在形成第一类型的轻掺杂漏区和第二类型的轻掺杂漏区的步骤之前，还包括在第一栅叠层和第二栅叠层的侧壁上形成栅极侧墙。

9.根据权利要求1所述的方法，其中在形成第一类型的轻掺杂漏区和第二类型的轻掺杂漏区的步骤之后，还包括在第一栅叠层和第二栅叠层的侧壁上形成栅极侧墙。

10.根据权利要求1所述的方法，其中在形成第一栅叠层和第二栅叠层的步骤之后，以及在形成第一类型的轻掺杂漏区之后和第二类型的轻掺杂漏区的步骤之前，还包括在第一栅叠层和第二栅叠层的侧壁上形成栅极侧墙。

11.根据权利要求9所述的方法，还包括：

采用第二掩模，以及以第一栅叠层和栅极侧墙作为硬掩模，注入第一类型的掺杂剂，形成第一类型的源/漏区，其中第二掩模遮挡第二区域并且暴露第一区域，以及

采用第三掩模，以及以第二栅叠层和栅极侧墙作为硬掩模，注入第二类型的掺杂剂，形成第二类型的源/漏区，其中第三掩模遮挡第一区域并且暴露第二区域。

12.根据权利要求10所述的方法，还包括：

采用所述第一掩模，以及以第二栅叠层和栅极侧墙作为硬掩模，注入第二类型的掺杂剂，形成所述第二类型的轻掺杂漏区和第二类型的源/漏区，其中第一掩模遮挡第一区域并且暴露第二区域，

采用第二掩模，以及以第一栅叠层和栅极侧墙作为硬掩模，注入第一类型的掺杂剂，形成第一类型的源/漏区，其中第二掩模遮挡第二区域并且暴露第一区域。

13.根据权利要求12所述的方法，还包括：从栅极侧墙方向上采用倾斜的角度注入第二类型的掺杂剂，以形成所述第二类型的轻掺杂漏区。

14.根据权利要求1所述的方法，其中在形成第一类型的源/漏区和形成第二类型的源/漏区的步骤之后，还包括：

进行硅化以在第一类型的源/漏区和第二类型的源/漏区、栅极叠层的表面形成金属硅化物层。

15.根据权利要求2所述的方法，其中第一栅叠层的栅极导体包括第一类型的掺杂剂，第二栅叠层的栅极导体包括第一类型和第二类型的掺杂剂。