[发明专利]高性能AlGaN光电阴极化学清洗方法有效
| 申请号： | 201410456627.8 | 申请日： | 2014-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN105470103B | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 常本康;郝广辉;张益军;金睦淳;冯琤;陈鑫龙;杨明珠 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 朱显国 |
| 地址： | 210094 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 性能 algan 光电 阴极 化学 清洗 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高性能AlGaN光电阴极化学清洗方法，其特征在于：所述方法包括将AlGaN光电阴极分别经有机溶剂、去离子水超声波清洗，然后经氢氧化钾溶液刻蚀清洗，硫酸混合溶液刻蚀清洗，最后经去离子水冲洗刻蚀，并在超声清洗仪中超声清洗，其中，所述有机溶剂依次为丙酮、四氯化碳、无水乙醇；氢氧化钾溶液刻蚀清洗，刻蚀时间大于50秒；硫酸混合溶液刻蚀清洗，刻蚀时间大于8分钟；所述KOH溶液为沸腾的KOH溶液，KOH溶液浓度大于1mol/L；所述硫酸混合溶液为浓硫酸、双氧水和去离子水的混合溶液，混合比例为2:2:1。
2.根据权利要求1所述的高性能AlGaN光电阴极化学清洗方法，其特征在于：所超声清洗仪中超声清洗，清洗时间大于3分钟。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
