[发明专利]金属钼材料的刻蚀方法在审
| 申请号： | 201410456704.X | 申请日： | 2014-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN105470193A | 公开（公告）日： | 2016-04-06 |
| 发明（设计）人： | 周娜;蒋中伟 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 材料 刻蚀 方法 | ||
1.一种金属钼材料的刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：
在金属钼材料上形成刻蚀掩膜；
使用Cl2作为刻蚀气体，对所述金属钼材料进行刻蚀。
2.根据权利要求1所述的金属钼材料的刻蚀方法，其特征在于，刻蚀过程中使用O2作为调节气体，其中，所述O2的气体流量占气体总流量的5％-10％。
3.根据权利要求1所述的金属钼材料的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀气体Cl2的流量为100-1000sccm。
4.根据权利要求3所述的金属钼材料的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀气体Cl2的流量为200-500sccm。
5.根据权利要求1所述的金属钼材料的刻蚀方法，其特征在于，刻蚀过程中上电极功率为100-500W，下电极功率为20-200W。
6.根据权利要求5所述的金属钼材料的刻蚀方法，其特征在于，所述上电极功率为300-500W，所述下电极功率为50-100W。
7.根据权利要求1所述的金属钼材料的刻蚀方法，其特征在于，刻蚀过程中温度为10-60℃。
8.根据权利要求7所述的金属钼材料的刻蚀方法，其特征在于，所述温度为20-40℃。
9.根据权利要求1所述的金属钼材料的刻蚀方法，其特征在于，刻蚀过程中气体压为10-50mT。
10.根据权利要求2所述的金属钼材料的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀气体Cl2的流量为200sccm，所述调节气体O2的流量为20sccm，上电极功率为300W，下电极功率为100W，温度为40℃，气体压为20mT。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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