[发明专利]一种大功率红外发光二极管有效
| 申请号： | 201410457030.5 | 申请日： | 2014-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN104201277B | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 林志伟;陈凯轩;张永;杨凯;蔡建九;白继锋;卓祥景;姜伟;刘碧霞 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/64 | 分类号： | H01L33/64;H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司35203 | 代理人： | 廖吉保,唐绍烈 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市火*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 红外 发光二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种大功率红外发光二极管，其特征在于：包括外延发光结构、基板及高热导介质层；外延发光结构一侧设置高热导介质层，高热导介质层上设置基板，高热导介质层位于外延发光结构与基板之间将外延发光结构产生的热量导向基板；基板与高热导介质层之间设置金属反射镜，金属反射镜与外延发光结构通过导电通道形成欧姆接触，高热导介质层与外延发光结构及金属反射镜形成全方位反射器；高热导介质层与外延发光结构之间设置外延保护层,外延保护层由第一外延保护层及第二外延保护层组成，与外延发光结构接触的为第一外延保护层，与高热导介质层接触的为第二外延保护层,第一外延保护层无导电型掺杂；第二外延保护层采用高浓度的硅掺杂,高热导介质层为纯净的金刚石薄膜。
2.如权利要求1所述的一种大功率红外发光二极管，其特征在于：高热导介质层的厚度为50nm-600nm。
3.如权利要求1所述的一种大功率红外发光二极管，其特征在于：第一外延保护层厚度为100nm-500nm；第二外延保护层厚度为10nm-50nm。
4.如权利要求1所述的一种大功率红外发光二极管，其特征在于：金属反射镜与高热导介质层之间设置过渡层。
5.如权利要求4所述的一种大功率红外发光二极管，其特征在于：过渡层为碳化钛；过渡层的厚度为小于等于30nm。
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