[发明专利]一种三氧化钼纳米薄片的制备方法在审
申请号: | 201410457699.4 | 申请日: | 2014-09-09 |
公开(公告)号: | CN105645470A | 公开(公告)日: | 2016-06-08 |
发明(设计)人: | 王立敏;张永方;孙洪明;王澳轩;储德清;马忠超 | 申请(专利权)人: | 天津工业大学 |
主分类号: | C01G39/02 | 分类号: | C01G39/02;B82Y40/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 300160*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氧化钼 纳米 薄片 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于微纳米材料合成技术领域,具体涉及一种超声辅助合成三氧化钼纳米薄片及 其制备方法。
背景技术
随着工业的不断发展,有机物的排放对水体造成的污染亟待解决。排污水中经常含有卤 代烃、硝基芳烃、多环芳烃、酚类、染料等多种有害成分,水中有机污染物已导致大量水生 环境污染、动物中毒,造成江、河、湖、海生态环境的破坏,并构成对人体健康的严重威胁。 随着太阳能化学的发展,国内外对光催化法处理工业废水的研究十分重视。目前,可用作光 催化剂的大都是具有半导体性质的化合物,三氧化钼就是一种良好的光催化剂。
三氧化钼常温时呈现白色或者苍黄色,晶状粉末,是透明的斜方晶体。三氧化钼有三种 晶型,正交相α-MoO3、单斜相β-MoO3、六方相h-MoO3。正交相为热力学稳定相,其余两相为 热力学介稳相,且正交相MoO3因其独特的层状结构及Mo的可变价态,在催化剂领域具有潜在 的应用价值。目前,可以通过多种方法制备三氧化钼,有文献报道以钼酸钠为钼源,采用水 热法制得了纳米带状三氧化钼(J.Mater.Chem.A,2013,1:2588-2594)。此外,由燃烧的辉 钼矿或者加热加入盐酸后的钼酸铵溶液都可以得到三氧化钼,或者通过溶胶-凝胶法、热扩散 法等制得。但上述方法大都采用单一溶剂,得到的产品不易分散。水热法需要在高温高压条 件下反应,对容器的要求较高。
发明内容
为克服现有技术的不足,本发明的目的是提供一种以钼酸铵为原料,去离子水、乙醇、 三乙胺为混合溶剂,通过加入不同的表面活性剂控制合成三氧化钼的方法。
本发明的目的是这样实现的,以聚乙二醇、糊精、十六烷基三甲基溴化铵或者十二烷基 苯磺酸钠为表面活性剂,硝酸为pH值调节剂,在超声波清洗器中进行反应,得到三氧化钼 的前驱体,然后在马弗炉中焙烧得到纳米薄片状三氧化钼。
本发明制备纳米薄片状三氧化钼的具体步骤如下:
(1)称取仲钼酸铵及表面活性剂于烧杯中,加入的溶剂为去离子水∶乙醇∶三乙胺为 5∶3∶2,使仲钼酸铵及表面活性剂的浓度分别为0.16mol/L和1.8mmol/L;
(2)将上述溶液在室温下充分磁力搅拌20min;
(3)将烧杯移至超声波清洗器,恒温下缓慢加入37%的浓硝酸溶液,调至pH至2-3;
(4)继续超声30min后离心分离,用蒸馏水和乙醇各洗涤三次,置于60℃烘箱中干燥 6h;
(5)将干燥后的产物置于马弗炉中,500℃条件下焙烧5h得到所要制备的纳米薄片状 三氧化钼。
进一步的,所述的表面活性剂为聚乙二醇、糊精、十六烷基三甲基溴化铵或者十二烷基 苯磺酸钠中的一种,超声反应温度为60℃。
本发明利用仲钼酸铵为原料,使用表面活性剂调节产品的形貌,具有设备简单,操作方 便等特点,有利于实现大规模的工业生产。更重要的是本发明得到的纳米薄片三氧化钼具有 很大比表面积,在光催化方面具有优异的性能。
附图说明
图1是实例1所制备的扫描电镜(SEM)照片。
图2是实例2所制备的扫描电镜(SEM)照片。
图3是实例3所制备的扫描电镜(SEM)照片。
图4是实例4所制备的扫描电镜(SEM)照片。
图5是实例1-4所制备的X射线衍射图谱(均为正交相)。
具体实施方式
以下通过具体实施例用于进一步说明本发明描述的方法,但是并不意味着本发明局限于这些 实施例。
实施例1:
一种纳米薄片状三氧化钼的制备方法,包括如下步骤:
(1)称取仲钼酸铵及PEG-1000于烧杯中,加入的溶剂为去离子水∶乙醇∶三乙胺为 5∶3∶2,使仲钼酸铵及表面活性剂的浓度分别为0.16mol/L和1.8mmol/L;
(2)将上述溶液在室温下充分磁力搅拌20min;
(3)将烧杯移至超声波清洗器,60℃恒温下缓慢加入37%的浓硝酸溶液,调至pH至 2-3;
(4)继续超声30min后离心分离,用蒸馏水和乙醇各洗涤三次,置于60℃烘箱中干燥 6h;
(5)将干燥后的产物置于马弗炉中,500℃条件下焙烧5h得到所要制备的纳米薄片状 三氧化钼。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津工业大学,未经天津工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410457699.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:回转清污机梳齿装置
- 下一篇:一种利用含汞废催化剂生产硫酸汞和氯化钠的方法