[发明专利]尖锥阵列面黑体的法向发射率的确定方法和装置

权利要求书

1.一种尖锥阵列面黑体的法向发射率的确定方法，其特征在于，包括：

确定出面黑体的尖锥阵列中的四面尖锥的锥角角度、以及所述四面尖锥的表面的发射率；

根据确定出的锥角角度，计算沿所述面黑体的法向入射到所述尖锥阵列内的光线在所述尖锥阵列内的反射次数；

根据确定出的发射率以及计算出的反射次数计算所述尖锥阵列对所述光线的入射能量的吸收率，将计算出的吸收率作为所述面黑体的法向发射率的估算值。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据确定出的锥角角度，计算沿所述面黑体的法向入射到所述尖锥阵列内的光线在所述尖锥阵列内的反射次数，具体包括：

根据如下公式1计算所述反射次数n：

n＝TRUNC(180°/θ)   (公式1)

其中，θ为所述锥角角度；TRUNC(180°/θ)表示对180°/θ取整。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述根据确定出的发射率以及计算出的反射次数计算所述尖锥阵列对所述光线的入射能量的吸收率，具体包括：

根据如下公式2计算所述吸收率α：

α＝1-(1-ε₀)ⁿ   (公式2)

其中，n为所述反射次数；ε₀为所述四面尖锥的表面的发射率。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述将计算出的吸收率作为所述尖锥阵列面黑体的法向发射率的估算值之后，还包括：

将所述估算值与所述面黑体的法向发射率的设计值进行比较，根据比较结果对所述四面尖锥的锥角角度和/或所述四面尖锥的表面的发射率进行优化调整，并根据优化调整后的四面尖锥的锥角角度和/或优化调整后的四面尖锥的表面的发射率，计算优化调整后的面黑体的法向发射率的估算值。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据比较结果对所述四面尖锥的锥角角度和所述四面尖锥的表面的发射率进行优化调整，具体包括：

若所述比较结果为所述估算值小于所述设计值，则将所述四面尖锥的锥角角度减少设定角度值作为优化调整后的四面尖锥的锥角角度，和/或将所述四面尖锥的表面的发射率增加设定数值作为优化调整后的四面尖锥的表面的发射率。

6.一种尖锥阵列面黑体的法向发射率的确定装置，其特征在于，包括：

参数确定单元，用于确定出面黑体的尖锥阵列中的四面尖锥的锥角角度、以及所述四面尖锥的表面的发射率；

反射次数计算单元，用于根据所述参数确定单元确定出的锥角角度，计算沿所述面黑体的法向入射到所述尖锥阵列内的光线在所述尖锥阵列内的反射次数；

法向发射率估算单元，用于根据所述参数确定单元确定出的发射率、以及所述反射次数计算单元计算出的反射次数，计算所述尖锥阵列对所述光线的入射能量的吸收率，将计算出的吸收率作为所述面黑体的法向发射率的估算值。

7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，

所述反射次数计算单元具体用于根据如下公式1计算所述反射次数n：

n＝TRUNC(180°/θ)   (公式1)

其中，θ为所述锥角角度；TRUNC(180°/θ)表示对180°/θ取整。

8.如权利要求6或7所述的装置，其特征在于，

所述法向发射率估算单元具体用于根据如下公式2计算所述吸收率α：

α＝1-(1-ε₀)ⁿ   (公式2)

其中，ε₀为所述四面尖锥的表面的发射率。

9.如权利要求7或8所述的装置，其特征在于，还包括：

优化调整单元，用于将所述法向发射率估算单元确定出的估算值与所述面黑体的法向发射率的设计值进行比较，根据比较结果对所述参数确定单元确定出的四面尖锥的锥角角度和四面尖锥的表面的发射率进行优化调整，并根据优化调整后的四面尖锥的锥角角度和/或优化调整后的四面尖锥的表面的发射率，计算优化调整后的面黑体的法向发射率的估算值。

10.如权利要求9所述的装置，其特征在于，

所述优化调整单元具体用于若确定所述比较结果为所述估算值小于所述设计值，则将所述参数确定单元确定出的四面尖锥的锥角角度减少设定角度值，作为优化调整后的四面尖锥的锥角角度；和/或将所述参数确定单元确定出的四面尖锥的表面的发射率减少设定数值，作为优化调整后的四面尖锥的表面的发射率。