[发明专利]柔性集成电路器件及其组件和制造方法

权利要求书

1.一种柔性集成电路器件，包括：

彼此分离的多个半导体岛，所述多个半导体岛包括各自的半导体器件；

位于所述多个半导体岛中的至少一个绝缘层；

位于所述至少一个绝缘层中的多个互连部件，所述多个互连部件用于将相邻的半导体岛彼此连接；

支撑层，所述支撑层附着于所述多个半导体岛上，

其中，所述多个互连部件分别包括位于半导体岛内的端部和位于半导体岛之间的中间部，使得所述柔性集成电路器件不仅可弯曲，而且沿着至少一个方向可伸缩，

所述多个互连部件的端部嵌入所述至少一个绝缘层中，所述多个互连部件的中间部在所述多个半导体岛之间悬置。

2.根据权利要求1所述的柔性集成电路器件，其中所述多个互连部件的中间部的顶部表面暴露。

3.根据权利要求1所述的柔性集成电路器件，其中所述多个互连部件中的至少一个由多个金属层组成，所述至少一个互连部件为管状结构，其中所述多个金属层分别构成管状结构的外壁的底部、侧壁和顶部。

4.一种柔性集成电路组件，包括：

支撑基板；以及

根据权利要求1至3中任一项所述的柔性集成电路器件，

其中，柔性集成电路器件位于支撑基板之上或之中或与支撑基板形成叠层。

5.根据权利要求4所述的柔性集成电路组件，其中所述支撑基板由选自树脂、布、纸张中的一种组成。

6.一种柔性集成电路器件的制造方法，包括：

在半导体衬底上形成牺牲层；

在牺牲层上形成所述半导体层；

在半导体层中形成第一沟槽，将半导体层分隔成多个半导体岛；

形成层间介质层的第一部分，以填充第一沟槽；

在所述多个半导体岛中，分别形成各自的半导体器件；

形成层间介质层的第二部分，以覆盖所述多个半导体岛的顶部表面；

在层间介质层上形成至少一个绝缘层；

在所述至少一个绝缘层中形成多个互连部件；

在所述至少一个绝缘层和所述层间介质层中形成第二沟槽，将所述多个半导体岛连同围绕其周围的层间介质层彼此分开；以及

经由第二沟槽，相对于所述半导体层和所述半导体衬底，选择性地蚀刻去除所述牺牲层；

其中，用于形成第一沟槽和第二沟槽的蚀刻均从半导体层形成半导体器件的一侧开始，

所述多个互连部件的端部嵌入所述至少一个绝缘层中，所述多个互连部件的中间部在所述多个半导体岛之间悬置。

7.根据权利要求6所述的方法，其中第二沟槽的位置与第一沟槽的位置一致，并且第二沟槽的宽度小于第一沟槽的宽度。

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述牺牲层是与所述半导体层和所述半导体衬底的蚀刻特性不同的另一半导体层。

9.根据权利要求6所述的方法，其中在形成第二沟槽的步骤之后还包括：去除所述半导体衬底。