[发明专利]SiC半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201410459152.8 | 申请日： | 2014-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN104425215B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 小林和雄 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/66;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 何立波,张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sic 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种SiC半导体装置的制造方法，其具有：
工序(a)，在该工序中，向SiC衬底的表面层注入大于或等于1×1020cm-3浓度的杂质；
工序(b)，在该工序中，在所述工序(a)之后，在所述SiC衬底的表面形成石墨膜；
工序(c)，在该工序中，在所述工序(b)之后，通过对所述SiC衬底进行退火处理而使所述杂质活性化；
工序(d)，在该工序中，在所述工序(c)之后，将所述石墨膜去除；
工序(e)，在该工序中，在所述工序(d)之后，将所述SiC衬底的表面氧化而形成氧化膜；
工序(f)，在该工序中，将所述氧化膜去除；以及
工序(g)，在该工序中，在所述工序(f)之后，对该SiC衬底以通过直接接触而实施的4探针法进行电阻值的测定。
2.根据权利要求1所述的SiC半导体装置的制造方法，其中，
所述工序(a)中的所述杂质是铝。
3.根据权利要求1所述的SiC半导体装置的制造方法，其特征在于，
在所述工序(b)中形成的所述石墨膜的膜厚大于或等于30nm，
所述工序(c)中的所述退火处理在大于或等于1600℃下进行。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的SiC半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述工序(e)中的所述氧化膜在大于或等于1150℃的水蒸气气氛中形成，
所述氧化膜的膜厚大于或等于30nm而小于或等于40nm。
5.一种SiC半导体装置的制造方法，其具有温度监视工序，
该SiC半导体装置的制造方法具有：
工序(a)，在该工序中，向温度监视用的SiC衬底的表面层注入大于或等于1×1020cm-3浓度的杂质；
工序(b)，在该工序中，在所述工序(a)之后，在所述SiC衬底的表面形成石墨膜；
工序(c)，在该工序中，在所述工序(b)之后，通过对所述SiC衬底进行退火处理而使所述杂质活性化；
工序(d)，在该工序中，在所述工序(c)之后，将所述石墨膜去除；
工序(e)，在该工序中，在所述工序(d)之后，将所述SiC衬底的表面氧化而形成氧化膜；
工序(f)，在该工序中，将所述氧化膜去除；
工序(g)，在该工序中，在所述工序(f)之后，对该SiC衬底通过4探针法进行电阻值的测定；以及
工序(h)，在该工序中，基于所述SiC衬底的电阻的测定来确定该SiC衬底的表面温度。
6.根据权利要求5所述的SiC半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述工序(e)中的所述氧化膜在大于或等于1150℃的水蒸气气氛中形成，
所述氧化膜的膜厚大于或等于30nm而小于或等于40nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
