[发明专利]图形化衬底的制备方法

权利要求书

1.一种图形化衬底的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底，在所述衬底上形成第一掩膜材料层；

在所述第一掩膜材料层上形成多个横截面为预定图形的光刻胶掩膜件；

通过多个所述光刻胶掩膜件对所述第一掩膜材料层进行刻蚀，以形成多个横截面为预定图形的第一掩膜件；

在每个所述第一掩膜件上形成第二掩膜件，其中，所述第一掩膜件的耐刻蚀度大于所述第二掩膜件的耐刻蚀度，所述第二掩膜件包覆所述第一掩膜件；

对形成有所述第一掩膜件和所述第二掩膜件的衬底进行刻蚀，以在所述衬底上形成最终图形。

2.根据权利要求1所述的图形化衬底的制备方法，其特征在于，所述预定图形为环形，且所述第二掩膜件的一部分填充在所述第一掩膜件的中心孔中。

3.根据权利要求1所述的图形化衬底的制备方法，其特征在于，在所述第一掩膜材料层上形成多个横截面为预定图形的光刻胶掩膜件的步骤包括：

在所述第一掩膜材料层上形成光刻胶层；

对所述光刻胶层进行曝光显影，以形成多个横截面为预定图形的所述光刻胶掩膜件。

4.根据权利要求3所述的图形化衬底的制备方法，其特征在于，对所述光刻胶层进行曝光显影的步骤中采用正常曝光，且使用的掩膜板的图形包括多个所述预定图形。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的图形化衬底的制备方法，其特征在于，形成所述第一掩膜材料层的材料包括硅、硅的氮化物和硅的氧化物中的任意一种或多种。

6.根据权利要求1至4中任意一项所述的图形化衬底的制备方法，其特征在于，通过多个所述光刻胶掩膜件对所述第一掩膜材料层进行刻蚀的步骤中，采用的刻蚀方法为干法刻蚀。

7.根据权利要求1至4中任意一项所述的图形化衬底的制备方法，其特征在于，在每个所述第一掩膜件上形成第二掩膜件的步骤包括：

在形成有多个第一掩膜件的衬底上形成第二掩膜材料层，其中，形成所述第二掩膜材料层的材料包括光刻胶；

对所述第二掩膜材料层进行曝光显影，以形成所述第二掩膜件。

8.根据权利要求1至4中任意一项所述的图形化衬底的制备方法，其特征在于，对形成有所述第一掩膜件和所述第二掩膜件的衬底进行刻蚀的步骤中，采用的刻蚀方法为干法刻蚀。

9.根据权利要求8所述的图形化衬底的制备方法，其特征在于，对形成有所述第一掩膜件和所述第二掩膜件的衬底进行刻蚀的步骤包括：

对形成有所述第一掩膜件和所述第二掩膜件的衬底进行主刻蚀，以露出所述第一掩膜件，并形成衬底过渡图形；

对完成所述主刻蚀的衬底进行过刻蚀，以将所述第一掩膜件和第二掩膜件刻蚀掉，并使所述衬底过渡图形形成为所述最终图形。