[发明专利]衬底处理装置以及衬底的生产方法

说明书

本发明涉及衬底处理装置以及衬底的生产方法，解决了如下问题：衬底载置部外周的热由构成气体分散通道的壁吸收，结果，难以使衬底面内的温度均匀。具有：腔室盖部，具有第一加热机构；衬底载置部，靠近该腔室盖部，并具有用于加热衬底的第二加热机构；处理容器，至少由所述腔室盖部和所述衬底载置部构成；控制部，在所述第二加热机构加热所述衬底载置部时，控制所述第一加热机构从而抑制来自所述第二加热机构的热能从所述衬底载置部向所述腔室盖部热传递。

技术领域

本发明涉及衬底处理装置、腔室盖组件、存储了衬底的生产方法的程序以及衬底的生产方法。

背景技术

近年来，闪存等半导体器件有高集成化的倾向。与之相伴，图案尺寸正显著地微细化。在形成这些图案时，作为制造工序的一个工序，有时实施在衬底上进行氧化处理、氮化处理等规定处理的工序。

作为形成上述图案的方法之一，存在如下工序，在电路间形成槽，并在槽内形成种子膜、衬层膜、布线。伴随着近年来的微细化，该槽构成为高的纵横比(aspect ratio)。

在形成衬层膜等时，要求在槽的上部侧面、中部侧面、下部侧面、底部也形成膜厚没有偏差的、良好的台阶覆盖(step coverage)膜。这是为了：通过做成良好的台阶覆盖膜，能够使半导体器件的特性在槽间均匀，由此，能够抑制半导体器件的特性偏差。

为了处理该高纵横比的槽，虽然尝试了加热气体而进行处理、使气体成为等离子体状态而进行处理，但难以形成具有良好的台阶覆盖的膜。

作为形成上述膜的方法，具有如下交替供给方法：交替供给至少两种处理气体，并在衬底表面上使之反应。

另一方面，由于需要使衬底面内的半导体器件的特性均匀，在形成薄膜时，需要均匀地加热衬底面内、均匀地向衬底供给气体。为了实现这些功能，开发了可均匀地向衬底的处理面供给气体的单片装置。在该单片装置中，为了更均匀地供给气体，例如具有越朝向衬底直径越大的气体分散通道。同时，为了均匀地加热衬底面内，在载置衬底的衬底载置部内设置加热器，通过该加热器均匀地加热衬底。

发明内容

发明要解决的问题

在上述装置中，具有越朝向衬底直径越大的气体分散通道。换句话说，用于形成气体分散通道的壁构成为不存在于与衬底中央相对的位置，而存在于与衬底外周相对的位置。发明人认真研究后，发现了如下问题：在这种形状的装置中，衬底载置部外周的热由构成气体分散通道的壁吸收。结果，难以使衬底面内的温度均匀。

鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种能够同时达成向衬底的均匀的气体供给、衬底面内的均匀加热的衬底处理装置、腔室盖组件、存储了衬底的生产方法的程序以及衬底的生产方法。

用于解决问题的手段

在本发明的一个实施方式中，提供一种衬底处理装置，具有：

腔室盖部，具有第一加热机构；

衬底载置部，靠近该腔室盖部，并具有用于加热衬底的第二加热机构；

处理容器，至少由所述腔室盖部和所述衬底载置部构成；

控制器，在所述第二加热机构加热所述衬底载置部时，控制所述第一加热机构，以抑制来自所述第二加热机构的热能从所述衬底载置部向所述腔室盖部热传递。

在本发明的另一实施方式中，提供一种腔室盖组件，具有：

气体分散通道，构成为直径朝向下方逐渐扩大；

加热机构，至少设置在腔室盖组件的底壁部的内侧；以及

覆盖所述加热机构的罩，所述罩由以下材质构成，所述材质具有比构成所述腔室盖组件的材质高的热传导率。