[发明专利]一种射频LDMOS器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201410459484.6 | 申请日： | 2014-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN104241381A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 杜寰 | 申请（专利权）人： | 上海联星电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 射频 ldmos 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种射频LDMOS器件，其特征在于，所述器件包括：
电阻率为0.05～0.15Ω/cm3的P+硅衬底；
在所述P+硅衬底上外延形成的厚度为9μm、掺杂浓度为6*1014cm-3～8*1014cm-3的P型外延区域；
B杂质注入剂量为5.5*1015cm-2～7.5*1015cm-2、能量为90～110Kev、1050℃高温推进时间为180～220min的P+下沉区域；
场氧厚度为1.8～2.2μm的源区；
栅氧厚度为多晶硅厚度为的多晶硅栅；
B杂质注入剂量为2*1013cm-2～4*1013cm-2、能量为40～60Kev、1000～1100℃高温推进时间为40～60min的沟道区；
As杂质注入剂量为1.1*1012cm-2～1.5*1012cm-2、能量为140～160Kev、1000～1100℃高温推进时间为40～70min、长度为2μm～4μm的漂移区；
AS杂质注入剂量为4*1015cm-2～6*1015cm-2、能量为80～120Kev、900～1000℃快速热处理30min的漏区。
2.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述器件包括：
电阻率为0.08Ω/cm3的P+硅衬底；
厚度为9μm、掺杂浓度为7*1014cm-3的P型外延区域；
B杂质注入剂量为6*1015cm-2、能量为100Kev、1050℃高温推进时间为200min的P+下沉区域；
场氧厚度为2μm的源区；
栅氧厚度为多晶硅厚度为的多晶硅栅；
B杂质注入剂量为3*1013cm-2、能量为50Kev、1050℃高温推进时间为40～60min的沟道区；
As杂质注入剂量为1.2*1012cm-2、能量为150Kev、1050℃高温推进时间为60min；
AS杂质注入剂量为5*1015cm-2、能量为100Kev、950℃快速热处理30min的漏区。
3.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述器件包括：
电阻率为0.07Ω/cm3的P+硅衬底；
厚度为9μm、掺杂浓度为8*1014cm-3的P型外延区域；
B杂质注入剂量为7*1015cm-2、能量为90Kev、1050℃高温推进时间为210min的P+下沉区域；
场氧厚度为2.2μm的源区；
栅氧厚度为多晶硅厚度为的多晶硅栅；
B杂质注入剂量为4*1013cm-2、能量为40Kev、1100℃高温推进时间为40min的沟道区；
As杂质注入剂量为1.3*1012cm-2、能量为160Kev、1100℃高温推进时间为50min；
AS杂质注入剂量为6*1015cm-2、能量为120Kev、1000℃快速热处理30min的漏区。
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