[发明专利]锗薄膜的减薄方法在审
| 申请号： | 201410459554.8 | 申请日： | 2014-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN104269347A | 公开（公告）日： | 2015-01-07 |
| 发明（设计）人： | 孙川川;王敬;梁仁荣;许军 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 方法 | ||
1.一种锗薄膜的减薄方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供表面为锗薄膜的晶片；
将所述晶片浸于包括氧化剂的水溶液中以进行锗薄膜的减薄，其中所述氧化剂将锗转化为锗氧化物，锗氧化物溶解在水溶液中；
对减薄后的所述晶片进行清洗。
2.根据权利要求1所述的锗薄膜的减薄方法，其特征在于，所述晶片为具有锗薄膜表面的硅衬底，或者绝缘体上锗晶片。
3.根据权利要求1所述的锗薄膜的减薄方法，其特征在于，锗薄膜的去除量为5-1000nm。
4.根据权利要求1所述的锗薄膜的减薄方法，其特征在于，锗薄膜的腐蚀减薄速率小于10nm/min。
5.根据权利要求1所述的锗薄膜的减薄方法，其特征在于，所述水溶液中氧化剂为过氧化氢或臭氧中的一种或多种。
6.根据权利要求5所述的锗薄膜的减薄方法，其特征在于，所述过氧化氢的浓度为0.5-500mmol/L。
7.根据权利要求1所述的锗薄膜的减薄方法，其特征在于，所述水溶液中还包括酸性试剂。
8.根据权利要求7所述的锗薄膜的减薄方法，其特征在于，所述酸性试剂为盐酸、氢氟酸或硫酸中的一种或多种。
9.根据权利要求1所述的锗薄膜的减薄方法，其特征在于，所述水溶液中还包括碱性试剂。
10.根据权利要求9所述的锗薄膜的减薄方法，其特征在于，所述碱性试剂为氨水、氢氧化钠或氢氧化钾中的一种或多种。
11.根据权利要求1所述的锗薄膜的减薄方法，其特征在于，所述水溶液的使用温度为20-80℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
