[发明专利]流化床反应器内分段碳化硅衬的接合部设计

权利要求书

1.一种在用于生产多晶硅覆层的颗粒材料的流化床反应器中使用的分段碳化硅衬，其包含：

第一碳化硅区段，其具有限定了向上开口的第一区段的凹陷或向上延伸的第一区段的突起的第一区段上缘表面；以及

位于所述第一碳化硅区段上方并与其相接的第二碳化硅区段，所述第二碳化硅区段具有第二区段下缘表面，如果所述第一区段上缘表面限定了向上延伸的第一区段的突起，则所述第二区段下缘表面限定向下开口的第二区段的凹陷，或者如果所述第一区段上缘表面限定了向上开口的第一区段的凹陷，则所述第二区段下缘表面限定向下延伸的第二区段的突起，所述突起被接纳在所述凹陷内并具有比所述凹陷更小的尺寸，使得所述凹陷的表面与所述突起的表面相隔以及在所述突起与所述凹陷之间存在间隙；以及

一定量的包含锂盐的粘合材料，所述粘合材料被配置在所述突起与所述凹陷之间的所述间隙内，所述粘合材料在固化后包含0.4-0.7重量％的作为锂铝硅酸盐的锂和93-97重量％的碳化硅粒子。

2.权利要求1的分段碳化硅衬，其中：

包含第一管状壁的第一碳化硅区段，所述第一管状壁具有环形上表面，所述第一区段上缘表面是所述环形上表面的至少一部分，以及所述第一区段的凹陷是由所述第一区段上缘表面的至少一部分限定并沿着所述第一区段上缘表面的至少一部分延伸的沟槽，或者所述第一区段的突起从所述第一区段上缘表面的至少一部分并沿着所述第一区段上缘表面的至少一部分向上延伸；以及

包含第二管状壁的第二碳化硅区段，所述第二管状壁具有环形下表面，所述第二区段下缘表面是所述环形下表的至少一部分，以及所述第二区段的突起从所述第二区段的第二缘表面的至少一部分并沿着所述第二区段的第二缘表面的至少一部分向下延伸，或者所述第二区段的凹陷是由所述第二区段下缘表面的至少一部分限定并沿着所述第二区段下缘表面的至少一部分延伸的沟槽。

3.权利要求2的分段碳化硅衬，其中所述第一区段的凹陷围绕整个第一区段环形上表面延伸或者所述第一区段的突起围绕整个第一区段环形上表面延伸，以及所述第二区段的突起围绕整个第二区段环形下表面延伸或者所述第二区段的凹陷围绕整个第二区段环形下表面延伸。

4.权利要求1的分段碳化硅衬，其中所述第一碳化硅区段和所述第二碳化硅区段中的至少一个由反应粘合的碳化硅构造而成。

5.权利要求4的分段碳化硅衬，其中：

所述碳化硅区段中的至少一个具有朝内表面；以及

所述反应粘合的碳化硅在所述碳化硅区段的朝内表面上具有低于1原子％的磷和低于1原子％的硼的表面污染水平。

6.权利要求1的分段碳化硅衬，其中所述第二碳化硅区段具有限定了向上开口的第二区段的凹陷的上缘表面。

7.权利要求6的分段碳化硅衬，其中所述第一区段上缘表面限定了向上开口的第一区段的凹陷以及所述第二区段下缘表面限定了向下延伸的第二区段的突起，所述衬还包含：

一个或多个其他碳化硅区段，每个其他碳化硅区段包含限定了向上开口的其他区段的凹陷的其他区段上缘表面和限定了向下延伸的其他区段的突起的其他区段下缘表面，所述其他区段的突起被接纳在位于所述其他碳化硅区段下方并与其相接的相邻碳化硅区段的上缘表面的凹陷内，并具有比所述相邻碳化硅区段的凹陷更小的尺寸，使得所述相邻碳化硅区段的凹陷的表面与所述其他区段的突起的表面相隔，以及在所述其他区段的突起与所述相邻碳化硅区段的凹陷之间存在间隙；以及

一定量的包含锂盐的粘合材料，所述粘合材料被配置在所述其他区段的突起和所述相邻碳化硅区段的凹陷之间的间隙内。