[发明专利]用于形成用在流化床反应器中的碳化硅的高纯度硅

权利要求书

1.一种在用于生产多晶硅覆层的颗粒材料的流化床反应器中使用的碳化硅衬，所述衬具有至少部分限定了反应仓室的朝内表面，所述衬的至少一部分包含反应粘合的碳化硅，所述碳化硅具有的在所述衬的至少一部分朝内表面上的表面污染水平为：

低于3原子％的掺杂物；和

低于5原子％的外来金属，

其中所述衬包含多个碳化硅区段，其中所述碳化硅区段具有边缘表面；以及所述衬还包含位于相邻碳化硅区段的相接边缘表面之间的粘合材料，所述粘合材料包含0.4-0.7重量％的作为锂铝硅酸盐的锂和93-97重量％的碳化硅粒子，以及

所述多个碳化硅区段彼此通过阴接头和阳接头接合。

2.权利要求1的碳化硅衬，其中所述部分具有的表面污染水平为合计低于3原子％的掺杂物B、Al、Ga、Be、Sc、N、P、As、Ti和Cr。

3.权利要求1的碳化硅衬，其中所述部分具有的表面污染水平为：

低于1原子％的磷；和

低于1原子％的硼。

4.权利要求1的碳化硅衬，其中所述反应粘合的碳化硅具有足够低的流动金属浓度，使得在所述流化床反应器中产生的多晶硅覆层的颗粒材料具有≤1ppbw的流动金属污染水平。

5.权利要求1的碳化硅衬，其中所述反应粘合的碳化硅具有足够低的流动金属浓度，使得在所述流化床反应器运行期间所述流化床反应器中的流动金属分压低于0.1Pa。

6.权利要求1的碳化硅衬，其中所述反应粘合的碳化硅是从太阳能级硅或电子级硅制备的硅化的碳化硅。

7.用于生产多晶硅覆层的颗粒材料的流化床反应器，所述反应器包含：

具有外壁的容器；以及

权利要求1-6任一项所限定的碳化硅衬，所述碳化硅衬被放置在所述外壁的内部，使得所述碳化硅衬的朝内表面限定出反应仓室的至少一部分。

8.权利要求7的流化床反应器，其中所述朝内表面具有的表面污染水平包含：

低于1原子％的磷；和

低于1原子％的硼。

9.权利要求8的流化床反应器，其中所述朝内表面具有在所述流化床反应器的运行期间与种晶粒子、在所述流化床反应器中产生的多晶硅覆层的颗粒材料、或两者相接触的接触部分，以及所述接触部分是反应粘合的碳化硅。

10.权利要求9的流化床反应器，其中所述接触部分具有的表面污染水平为合计低于3原子％的掺杂物B、Al、Ga、Be、Sc、N、P、As、Ti和Cr。

11.权利要求7的流化床反应器，其中所述碳化硅衬包含多个碳化硅区段。

12.一种用于生产多晶硅覆层的颗粒粒子的方法，所述方法包括使含硅气体流过流化床反应器，所述流化床反应器的反应仓室内含有种晶粒子，以实现含硅气体的热解和多晶硅层在种晶粒子上的沉积，从而形成多晶硅覆层的粒子，其中所述流化床反应器包含如权利要求1-6任一项所限定的碳化硅衬，所述衬被放置在外壁的内部。