[发明专利]分段碳化硅衬

权利要求书

1.一种在用于生产多晶硅覆层的颗粒材料的流化床反应器中使用的分段碳化硅衬，所述衬包含：

至少一个管状壁，其具有圆柱形外表面并包含多个侧向联结的碳化硅区段，每个侧向联结的碳化硅区段具有侧缘和作为所述管状壁的外表面的一部分的外表面，其中每个碳化硅区段包含：

第一侧缘表面，其限定了沿着所述第一侧缘表面的至少一部分长度侧向开口的凹陷；以及

第二侧缘表面，其限定了沿着所述第二侧缘表面的至少一部分长度侧向延伸的突起，所述突起具有比所述第一侧缘表面的凹陷更小的尺寸，使得当第一区段的第一侧缘相接到相邻区段的第二侧缘时，以及

所述第一区段的凹陷的表面与所述相邻区段的突起的表面相隔，并且在所述第一区段的凹陷与所述相邻区段的突起之间存在间隙；以及

一定量的包含锂盐的粘合材料，所述一定量的粘合材料被配置在所述第一区段的凹陷与所述相邻区段的突起之间的间隙内，所述粘合材料在固化后包含0.4-0.7重量％的作为锂铝硅酸盐的锂和93-97重量％的碳化硅粒子。

2.权利要求1的分段碳化硅衬，其中所述第一侧缘表面的凹陷沿着整个第一侧缘表面延伸，以及所述第二侧缘表面的突起沿着整个第二侧缘表面延伸。

3.权利要求1的分段碳化硅衬，其中所述管状壁包含侧向联结的交替的第一碳化硅区段和第二碳化硅区段：

每个第一碳化硅区段包含第一侧缘表面，其限定了沿着所述第一侧缘表面的至少一部分长度侧向开口的凹陷；以及

每个第二碳化硅区段包含第二侧缘表面，其限定了沿着所述第二侧缘表面的至少一部分长度侧向延伸的突起，所述突起具有比所述第一侧缘表面的凹陷更小的尺寸，使得当所述第一区段的第一侧缘相接到所述第二侧缘时，

所述第一区段的凹陷的表面与所述第二区段的突起的表面相隔，并且在所述第一区段的凹陷与所述第二区段的突起之间存在间隙，并且

所述一定量的粘合材料被配置在所述第一区段的凹陷与所述第二区段的突起之间的间隙内。

4.权利要求1-3任一项的分段碳化硅衬，其中至少一个所述碳化硅区段由反应粘合的碳化硅构造而成。

5.权利要求4的分段碳化硅衬，其中所述反应粘合的碳化硅在所述碳化硅区段的朝内表面上具有低于1原子％的磷和低于1原子％的硼的表面污染水平，并具有足够低的流动金属浓度，以在所述多晶硅流化床反应器的操作温度范围为每种流动金属提供低于0.1Pa的金属分压。

6.权利要求1-3任一项的分段碳化硅衬，其还包含围绕所述管状壁的环形外表面延伸的至少一个固定元件。

7.权利要求6的分段碳化硅衬，其中所述固定元件由具有2×10^-6/K至6×10^-6/K的线性热膨胀系数的材料构造而成。

8.权利要求6的分段碳化硅衬，其中所述固定元件由钼或钼合金构造而成。

9.权利要求1-3任一项的分段碳化硅衬，其还包含：

第一管状壁，其具有圆柱形外表面并包含多个侧向联结的碳化硅区段，每个侧向联结的区段具有侧缘和作为所述第一管状壁的外表面的一部分的外表面；

第二管状壁，其位于所述第一管状壁上方并与其相接，所述第二管状壁具有圆柱形外表面并包含多个侧向联结的碳化硅区段，每个侧向联结的区段具有侧缘和作为所述第二管状壁的外表面的一部分的外表面；

一定量的所述粘合材料，其被配置在所述第一管状壁的相邻的侧向联结的碳化硅区段之间；

一定量的所述粘合材料，其被配置在所述第二管状壁的相邻的侧向联结的碳化硅区段之间；以及

一定量的包含锂盐的粘合材料，所述粘合材料被配置在所述第一管状壁与第二管状壁之间。