[发明专利]一种微波频段无介电弥散的铁电单晶材料的处理方法有效
申请号: | 201410461478.4 | 申请日: | 2014-09-11 |
公开(公告)号: | CN104313696B | 公开(公告)日: | 2017-01-04 |
发明(设计)人: | 靳立;李飞 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | C30B30/02 | 分类号: | C30B30/02 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司61200 | 代理人: | 陆万寿 |
地址: | 710049 陕*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 微波 频段 无介电 弥散 铁电单晶 材料 处理 方法 | ||
1.一种微波频段无介电弥散的铁电单晶材料的处理方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)将铁电单晶材料加工成具有一对平行面的圆柱体,在该圆柱体的两端面制备一对平行电极;
2)将经步骤1)处理后的铁电单晶材料置于空气烧结炉中,以2~4℃/min升温速率加热到500℃,保温6~12小时后,再以2~4℃/min降温速率降温到室温,然后静置24小时;
3)将经步骤2)处理后的铁电单晶材料的中部固定,再将铁电单晶材料与高压直流电源两端相接通,采用逐步升温与逐步加强电场的方法消除铁电单晶中的铁电畴壁,制得微波频段无介电弥散的铁电单晶材料;
其中,所述的逐步升温与逐步加强电场的方法具体操作为:
温度以室温为基准,升温速度为2~4℃/min,每次升温40℃;电场以铁电单晶室温矫顽电场的50%为基准,施加电压速率为60~300V/min,电场强度每次增加50%矫顽电场;
温度每升高一次后,施加电压,待电压稳定后,保温15min,然后继续升温,直到温度超过居里温度后,施加最后一次电压,然后以2~5℃/min降低温度至室温,以60~300V/min卸去电压,室温静置24小时。
2.根据权利要求1所述的一种微波频段无介电弥散的铁电单晶材料的处理方法,其特征在于,所述圆柱体的直径小于等于2mm,长度为4~8mm。
3.根据权利要求1所述的一种微波频段无介电弥散的铁电单晶材料的处理方法,其特征在于,步骤1)采用溅射法在圆柱体的两端面制备一对平行电极,平行电极包括与铁电单晶材料接触的金属Cr电极和位于金属Cr电极上的金属Pt电极。
4.根据权利要求3所述的一种微波频段无介电弥散的铁电单晶材料的处理方法,其特征在于,所述金属Cr电极的厚度为50~100nm,金属Pt电极的厚度为200~300nm。
5.根据权利要求3所述的一种微波频段无介电弥散的铁电单晶材料的处理方法,其特征在于,步骤3)是采用聚四氟乙烯的夹具将铁电单晶材料的中间部位固定,通过金属Pt电极将铁电单晶材料与高压直流电源两端相接通。
6.根据权利要求1所述的一种微波频段无介电弥散的铁电单晶材料的处理方法,其特征在于,步骤1)所述将铁电单晶材料加工成圆柱体前还包括用1000#砂纸对铁电单晶材料进行抛光处理。
7.根据权利要求1所述的一种微波频段无介电弥散的铁电单晶材料的处理方法,其特征在于,所述的铁电单晶材料为三元系铁电单晶Pb(In1/2Nb1/2)O3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3。
8.根据权利要求7所述的一种微波频段无介电弥散的铁电单晶材料的处理方法,其特征在于,制得的微波频段无介电弥散的铁电单晶材料在50MHz到1000MHz频段间的介电常数实部在160~161之间,虚部在1.3~3.2之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学,未经西安交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410461478.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一步法高温高压熔融纺丝设备及聚合物纤维的生产方法
- 下一篇:牡丹薄荷茶