[发明专利]具有温度稳定特性的SCR部件

权利要求书

1.一种垂直结构的可控硅SCR型部件，包括：

第一导电类型的硅区域，在第二导电类型的硅层中形成；

主上部电极，在所述第一导电类型的硅区域上形成；

其中所述第一导电类型的所述硅区域被如下项中断：

由第二导电类型的所述硅层的材料形成的第一部位，所述第一部位与所述主上部电极接触，以及

由电阻性多孔硅形成的第二部位，所述第二部位也与所述主上部电极接触并且在所述硅层和所述主上部电极之间延伸，所述第二部位的厚度大于所述第一导电类型的所述硅层的厚度。

2.根据权利要求1所述的部件，其中所述多孔硅在25℃下的电阻率在从10³至10⁴Ω.cm的范围内。

3.根据权利要求1所述的部件，其中所述第一部位和所述第二部位跨所述区域的表面规则地分布。

4.根据权利要求1所述的部件，其中所述第一部位的数目等于所述第二部位的数目。

5.一种在具有阱的可控硅SCR型部件中制造多晶硅部位的方法，包括以下相继步骤：

提供包括在第二导电类型区域的硅层中形成的、第一导电类型的硅区域的半导体结构，所述区域在部位中被中断，所述结构由第二导电类型的外围硅壁横向定界；

通过使得所述部位以及所述外围壁的上表面暴露，在所述结构的所述上表面上沉积掩模层；

将组件浸入电解液浴剂中，第一浴剂与所述结构的所述上表面接触，第二浴剂与所述结构的下表面接触，正电极和负电极分别浸入所述第二浴剂和所述第一浴剂中；以及

在所述正电极和所述负电极之间施加电压以具有在所述外围壁中流动的电流，所述电流的一部分在所述硅层和部位中流动以在所述部位中形成多孔硅。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其中所述电解液浴剂由包括水、氢氟酸、乙醇或乙酸的混合物制成。