[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201410464691.0 | 申请日： | 2014-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN104465683A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 樱野胜之;渡边博文;根来宝昭;爱须克彦;米田和洋 | 申请（专利权）人： | 株式会社理光 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张祥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其中具备在半导体基板上排列光电转换元件构成的图像传感器，其特征在于，
具备在所述半导体基板上相邻所述光电转换元件之间的位置上形成的沟槽、以及设于该沟槽底部的杂质扩散层，
所述杂质扩散层被设置在比所述光电转换元件中的PN结更深的位置。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在所述光电转换元件周围的所述光电半导体上形成所述沟槽。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述光电元换元件为PN光电二极管。
4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述光电元换元件为PIN光电二极管。
5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述光电元换元件为雪崩光电二极管。
6.根据权利要求3至5中任意一项所述的半导体装置，其特征在于，所述杂质扩散层中的掺杂浓度小于形成在所述半导体基板表面一侧且构成所述光电二极管的阳极或阴极的扩散层中的掺杂浓度。
7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述光电元换元件为光电三极管。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述杂质扩散层中的掺杂浓度小于形成在所述半导体基板表面一侧且构成所述光电三极管的发射极的扩散层中的掺杂浓度。
9.根据权利要求1至8中任意一项所述的半导体装置，其特征在于，所述沟槽中埋入氧化硅膜。
10.根据权利要求1至8中任意一项所述的半导体装置，其特征在于，所述沟槽中埋入氮化硅膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
