[发明专利]石墨烯场发射阴极制备方法及石墨烯场发射阴极在审

专利信息
申请号: 201410465528.6 申请日: 2014-09-12
公开(公告)号: CN104217907A 公开(公告)日: 2014-12-17
发明(设计)人: 洪序达;陈垚;郑海荣;桂建保 申请(专利权)人: 中国科学院深圳先进技术研究院
主分类号: H01J9/02 分类号: H01J9/02;H01J1/304
代理公司: 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 代理人: 任葵
地址: 518055 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 石墨 发射 阴极 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种石墨烯场发射阴极制备方法,其特征在于,包括:

将石墨烯、金属可溶性无机盐按照预定比例加入有机溶剂中,制得带正电荷的石墨烯电泳溶液; 

使用导电基板作为阴极,分别将阳极和所述阴极置于所述石墨烯电泳溶液中,外加电场,使带正电荷的石墨烯向所述阴极方向移动,并沉积在所述阴极上,得到掺杂金属颗粒的石墨烯薄膜;

将所述石墨烯薄膜干燥,获得石墨烯场发射阴极。

2.如权利要求1所述的石墨烯场发射阴极制备方法,其特征在于,所述金属可溶性无机盐包括铜、银、金和铂的可溶性无机盐中的一种或多种的混合物。

3.如权利要求2所述的石墨烯场发射阴极制备方法,其特征在于,所述金属可溶性无机盐包括硝酸铜、硝酸亚铜、硝酸银、氯化铜、氯化金和氯化铂。

4.如权利要求1所述的石墨烯场发射阴极制备方法,其特征在于,所述金属可溶性无机盐和所述石墨烯的重量比为0.01~1。

5.如权利要求1所述的石墨烯场发射阴极制备方法,其特征在于,所述石墨烯包括单层石墨烯和/或多层石墨烯。

6.如权利要求1所述的石墨烯场发射阴极制备方法,其特征在于,所述石墨烯电泳溶液的浓度为0.05~10mg/ml。

7.如权利要求1所述的石墨烯场发射阴极制备方法,其特征在于,将所述石墨烯薄膜在60~120℃的真空环境干燥。

8.如权利要求1所述的石墨烯场发射阴极制备方法,其特征在于,所述有机溶剂包括乙醇、丙酮、正丙醇和异丙醇中的一种或多种的混合物。

9.如权利要求1所述的石墨烯场发射阴极制备方法,其特征在于,所述导电基板包括镀覆有铟锡氧化物涂层的导电玻璃或者是不锈钢、钛、铜、铬、镍金属基板或者是镀覆钛、镍、铬、铜、金、银、铂导电涂层的绝缘基板,所述阳极包括铁片、铜片、铝片或镍片。

10.一种使用权利要求1至9中任一项所述的石墨烯场发射阴极制备方法制备的石墨烯场发射阴极。

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