[发明专利]一种高保真音频前置功率放大器

权利要求书

1.一种高保真音频前置功率放大器，其特征在于：其包括依次连接的第一共源共栅放大器、第一PMOSFET管、第一源极跟随器、第二共源共栅放大器、第二PMOSFET管、第二源极跟随器、第三共源共栅放大器、第三源极跟随器；其中，

第一共源共栅放大器连接信号输入端，对输入的信号进行第一级放大；

第一PMOSFET管，其栅极连接第一共源共栅放大器的信号输出端，对输入信号进行第二级放大；

第一源极跟随器，连接第一PMOSFET管的漏极，隔离第一PMOSFET管和第二共源共栅放大器；

第二共源共栅放大器，连接第一源极跟随器的信号输出端，对输入信号进行第三级放大；

第二PMOSFET管，其栅极连接第二共源共栅放大器的信号输出端，对输入信号进行第四级放大；

第二源极跟随器，连接第二PMOSFET管的漏极，用于隔离第二PMOSFET管和第三共源共栅放大器；

第三共源共栅放大器，连接第二源极跟随器的信号输出端，对输入信号进行第五级放大；

第三源极跟随器，为所述前置功率放大器的信号输出端。

2.如权利要求1所述的一种高保真音频前置功率放大器，其特征在于：所述第一共源共栅放大器包括第一晶体管、第二晶体管和第一反馈电阻，其中，第二晶体管的栅极为信号输入端，第二晶体管的漏极与第一晶体管的源极相连，第二晶体管的源极通过第一反馈电阻接地，第一晶体管的漏极为信号输出端。

3.如权利要求2所述的一种高保真音频前置功率放大器，其特征在于：还包括第二反馈电阻，所述第一PMOSFET管的栅极与第一晶体管的漏极连接，且第一PMOSFET管的漏极通过第二反馈电阻接地。

4.如权利要求3所述的一种高保真音频前置功率放大器，其特征在于：

所述第一源极跟随器包括第四晶体管和第三反馈电阻，所述第四晶体管的栅极与第一PMOSFET管的漏极相连，第四晶体管的源极通过第三反馈电阻接地，所述第四晶体管的源极为信号输出端。

5.如权利要求4所述的一种高保真音频前置功率放大器，其特征在于：所述第二共源共栅放大器包括第五晶体管、第六晶体管和第四反馈电阻，且第五晶体管的栅极与第四晶体管的源极相连，第五晶体管的漏极与第六晶体管的源极相连，第五晶体管的源极通过第四反馈电阻接地，且第六晶体管的漏极为信号输出端。

6.如权利要求5所述的一种高保真音频前置功率放大器，其特征在于：还包括第五反馈电阻，所述第二PMOSFET管的栅极与第六晶体管的漏极连接，且第二PMOSFET管的漏极通过第五反馈电阻接地。

7.如权利要求6所述的一种高保真音频前置功率放大器，其特征在于：

所述第二源极跟随器包括第八晶体管和第六反馈电阻，所述第八晶体管的栅极与第二PMOSFET管的漏极相连，第八晶体管的源极通过第六反馈电阻接地，所述第八晶体管的源极为信号输出端。

8.如权利要求7所述的一种高保真音频前置功率放大器，其特征在于：所述第三共源共栅放大器包括第九晶体管、第十晶体管和第七反馈电阻，且第九晶体管的栅极与第八晶体管的源极相连，第九晶体管的漏极与第十晶体管源极相连，第九晶体管的源极通过第七反馈电阻接地，且第十晶体管的漏极为信号输出端。

9.如权利要求8中所述的一种高保真音频前置功率放大器，其特征在于：

所述第三源极跟随器包括第十一晶体管和第八反馈电阻，所述第十一晶体管的栅极与第十晶体管的漏极相连，第十一晶体管的源极通过第八反馈电阻接地，所述第十一晶体管的源极为所述前置功率放大器的信号输出端。

10.如权利要求9所述的一种高保真音频前置功率放大器，其特征在于：所述第一晶体管、第二晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第八晶体管、第九晶体管、第十晶体管和第十一晶体管均为N型BJT管或N型MOS管。