[发明专利]制造沟槽型功率器件的方法

权利要求书

1.一种制造沟槽型功率器件的方法，其特征在于包括：

第一步骤：在衬底执行阱区注入，随后在阱区上形成硬掩模的图案，并且在硬掩模图案两侧形成侧墙，此后利用形成有侧墙的硬掩模图案作为掩模执行刻蚀从而在衬底中形成器件区凹槽和端区凹槽；然后沉积多晶硅材料，从而在器件区凹槽中填充多晶硅材料，并且在端区凹槽的侧壁上形成保护环；

第二步骤：去除侧墙，并且利用去除了侧墙的硬掩模图案作为掩模执行离子注入，从而在器件区凹槽的两侧以及端区凹槽的一侧形成重掺杂区；

第三步骤：在第二步骤之后得到的结构上沉积氧化物层，并对氧化物层进行刻蚀从而使得器件区凹槽中的需要在表面形成接触孔的第一凹槽上形成被器件区氧化物打开的开口，而在不需要在表面形成接触孔的第二凹槽上不形成被器件区氧化物打开的开口；

第四步骤：去除硬掩模图案，从而在器件区氧化物中形成由于硬掩模图案的去除而形成的接触区凹槽。

2.根据权利要求1所述的制造沟槽型功率器件的方法，其特征在于还包括第五步骤，用于在开口和接触区凹槽中填充金属从而形成导电的接触孔。

3.根据权利要求1或2所述的制造沟槽型功率器件的方法，其特征在于，所述硬掩模的材料是氮化硅。

4.根据权利要求1或2所述的制造沟槽型功率器件的方法，其特征在于，所述衬底是硅衬底。

5.根据权利要求1或2所述的制造沟槽型功率器件的方法，其特征在于，在第三步骤之后，保护环被端区氧化物覆盖。