[发明专利]电流检测电路及半导体存储装置

权利要求书

1.一种电流检测电路，其特征在于，包括：

第1供给电路，可设定要检测的电流值，可将对应到设定的电流值的定电流供给至第1节点；

第2供给电路，连接于该第1节点与一位线之间，当该位线的电流放电时，可将供给至该第1节点的电流供给至该位线；以及

判断电路，连接至该第1节点，判断是否有比该第1供给电路所供给的该定电流大的电流从该位线放电，

该第2供给电路包括连接至该第1节点与该位线之间的MOS晶体管，以及监控该位线的电压的监控电路，该监控电路在该位线的电压下降时会使该MOS晶体管的阻抗减小。

2.如权利要求1所述的电流检测电路，其特征在于，该第1供给电路还能够对该第1节点预充电，该第2供给电路借由预充至该第1节点的电压来对该位线预充电。

3.如权利要求1所述的电流检测电路，其特征在于，该判断电路包括连接该第1节点的电压至其栅极的感测晶体管，该感测晶体管在第2节点产生对应该第1节点电压的电压，以及一拴锁电路，电连接至所述第2节点。

4.如权利要求1所述的电流检测电路，其特征在于，该第1供给电路包括可程式化的储存电路，储存用以设定要检测的电流值的数据，该第1供给电路根据该储存的数据供给定电流至该第1节点。

5.如权利要求1所述的电流检测电路，其特征在于，该第1供给电路包括连接于电源与该第1节点之间的MOS晶体管，该MOS晶体管会因应施加于其栅极的电压而供给定电流至该第1节点。

6.一种半导体存储装置，其特征在于，包括：

存储器阵列，形成有多个存储单元；

感测电路，连接至该存储器阵列的多个位线，其中，该感测电路包括多个如权利要求1至5任一项所述的电流检测电路，多个电流检测电路的每一个连接至各所述多个位线。

7.如权利要求6所述的半导体存储装置，其特征在于，该存储器阵列包括由所述多个存储单元串联而成的NAND串列，所述多个电流检测电路分别连接至各NAND串列所连接的所述多个位线。

8.如权利要求7所述的半导体存储装置，其特征在于，所述多个电流检测电路在进行被选择的页的读出动作时，于预充期间中，供给预充电压至各所述第1节点，于所述位线的放电期间中，供给定电流至各所述第1节点。

9.如权利要求7或8所述的半导体存储装置，其特征在于，该电流检测电路的该定电流设定为比流过所述多个存储单元中被抹除存储单元的电流的最小值还小的值。

10.如权利要求7所述的半导体存储装置，其特征在于，所述多个电流检测电路包括拴锁电路，用以保持被选择的页的读出结果。

11.如权利要求6所述的半导体存储装置，其特征在于，所述多个存储单元为可变阻抗元件，储存可逆的且非易失的数据，所述多个电流检测电路分别连接至各可变阻抗元件所连接的所述多个位线。

12.如权利要求11所述的半导体存储装置，其特征在于，所述多个电流检测电路的定电流设定在被SET的该可变阻抗元件所流过的电流与被RESET的该可变阻抗元件所流过的电流之间。