[发明专利]射频横向双扩散场效应晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种射频横向双扩散场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

一.在P型衬底上生长P型外延层，P型外延层的掺杂浓度比P型衬底低；

二.在P型外延层上面热氧化生长第一氧化层；

三.保留P型外延层中部的第一氧化层，将P型外延层上的其它第一氧化层全部刻蚀掉；

四.在P型外延层上面再热氧生长第二氧化层，第二氧化层较第一氧化层薄，从而从左到右，P型外延层上面的氧化层的结构为薄厚薄的结构；

五.在氧化层上淀积多晶硅，光刻刻蚀出多晶硅栅，多晶硅栅的左部覆盖于P型外延层左部上面的薄氧化层的右端，多晶硅栅的右部覆盖于P型外延层中部上面的厚氧化层的左端，从而形成左低右高的阶梯型多晶硅栅；

六.保留多晶硅栅上面的光刻胶，通过自对准注入分别在多晶硅栅左侧及右侧的P型外延层中形成N型掺杂区，多晶硅栅右侧的P型外延层中的N型掺杂区作为N型漂移区；

七.通过模板定义P阱区域，在多晶硅栅左侧的P型外延层中进行P型离子注入，然后高温推进形成P阱；

八.通过光刻版定义出源端重N型区域、漏端重N型区域和衬底端重P型区域，在源端重N型区域、漏端重N型区域注入N型杂质；在衬底端重P型区域注入P型杂质；

九.在硅片上淀积第三氧化层，从而多晶硅栅右侧的氧化层从左到右为从高到低的三个高度；

十.在第三氧化层上淀积一金属层，通过模板定义，刻蚀形成左高右低的阶梯型法拉第屏蔽金属层，阶梯型法拉第屏蔽金属层的左部在阶梯型多晶硅栅右侧的最高的氧化层上方，阶梯型法拉第屏蔽金属层的中部在阶梯型多晶硅栅右侧的中间高度的氧化层上方，阶梯型法拉第屏蔽金属层的左部在阶梯型多晶硅栅右侧的最低的氧化层上方；

十一.通过模板，在衬底端重P型区域定义出多晶硅塞或者金属塞的位置和大小，刻蚀至P型衬底，淀积多晶硅或者金属，形成多晶硅或者金属塞。

2.根据权利要求1所述的射频横向双扩散场效应晶体管的制作方法，其特征在于，

所述P型外延层，体浓度为1e14～1e16个/cm³，厚度为1～10um。

3.根据权利要求1所述的射频横向双扩散场效应晶体管的制作方法，其特征在于，

所述第一氧化层，厚度为5nm～500nm。

4.根据权利要求1所述的射频横向双扩散场效应晶体管的制作方法，其特征在于，

步骤六中，注入N型掺杂区的杂质为磷或者砷，注入能量为10～500keV，剂量为1e12～5e13个/cm²。

5.根据权利要求1所述的射频横向双扩散场效应晶体管的制作方法，其特征在于，

步骤七中，在P阱区域注入的P型离子为硼，能量为30～300keV，剂量为1e12～2e14个/cm²。

6.根据权利要求1所述的射频横向双扩散场效应晶体管的制作方法，其特征在于，

步骤八中，注入源端重N型区域、漏端重N型区域的N型杂质为磷或砷，能量为0keV～200keV，剂量为10¹³～10¹⁶个/cm²；注入衬底端重P型区域的P型杂质为硼或者二氟化硼，能量为0keV～100keV，剂量为10¹³～10¹⁶个/cm²。

7.根据权利要求1所述的射频横向双扩散场效应晶体管的制作方法，其特征在于，

第三氧化层厚度为300埃～2000埃。