[发明专利]倒装LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，包括步骤：

提供衬底，在所述衬底上依次形成N型GaN、量子阱层及P型GaN；

依次刻蚀所述P型GaN和量子阱层，形成电极平台，所述电极平台暴露出所述N型GaN；

在所述P型GaN上形成透明导电层；

在所述透明导电层的表面形成设有图案的隔离层，所述隔离层的图案暴露出部分所述透明导电层，所述隔离层覆盖所述电极平台处的透明导电层、P型GaN和量子阱层的侧壁；

在所述图案的隔离层上形成P电极，所述P电极通过图案与所述透明导电层相连，在所述N型GaN及部分隔离层的表面形成N电极。

2.如权利要求1所述的倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，所述透明导电层的材质为ITO、AZO、ZnO或NiAu，采用电子束或溅射方式蒸镀形成。

3.如权利要求1所述的倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，所述设有图案的隔离层为分布布拉格反射镜，为SiO₂和Ti₃O₅不同折射率材料的叠层，叠层范围为1～31层。

4.如权利要求1所述的倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，所述P电极和N电极采用蒸镀或溅射方式形成，材质为Au或Sn并搭配Cr、Al、Ti或Pt。

5.一种倒装LED芯片，其特征在于，采用如权利要求1至4中任一项所述的制备方法形成，包括：

衬底、N型GaN、量子阱层、P型GaN、透明导电层、设有图案的隔离层、P电极和N电极，其中，所述N型GaN、量子阱层、P型GaN和透明导电层依次堆叠形成在所述衬底的表面，所述N型GaN设有电极平台，所述电极平台暴露出所述N型GaN的表面和量子阱层、P型GaN及透明导电层的侧壁，所述设有图案的隔离层形成在所述量子阱层、P型GaN及透明导电层的侧壁及透明导电层的表面，并由图案暴露出所述透明导电层，所述P电极形成在所述设有图案的隔离层上并与暴露出的透明导电层相连，所述N电极形成在N型GaN的表面并覆盖部分设有图案的隔离层。

6.如权利要求5所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述倒装LED芯片的长宽比范围为1:1～5:1。

7.如权利要求5所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述P电极和N电极的俯视图为圆形或多边形。